一种用于先进封装的高速电镀铜添加剂及其制备方法与流程
1.本发明涉及电镀沉积技术领域，具体来说，涉及一种用于先进封装的高速电镀铜添加剂及其制备方法。
背景技术：
2.近年来，随着电子信息行业的高速发展，印制电路板是一个不可缺少的重要支柱，小到智能芯片、微机，大到计算机、通讯电子设备、军用武器系统以及航空航天的电路板，只要有集成电路等电子元器件均有印制电路板。在多层电路板中使用金属化的通孔或盲孔来实现不同层之间的导通，使信号之间互联。其中，通孔电镀铜是实现通孔金属化的重要途径，也是多层pcb制作过程中非常重要的一项技术。随着电子设备越来越复杂，需要的零件越来越多，印制电路板线路与零件也越来越密集了，大量高密度互连多阶盲孔板技术也取得了大量的突破。
3.印制电路板按成品软硬可分为刚性板、挠性板和刚挠结合板。其中按结构板又分为单面板，双面板，常规多层板，其中具有发展前景的是挠性板、高密度互连高多层板。刚性板是由不易弯曲，同时具有一定强韧度的刚性基材制成的印制板，可以为附着其上的电子元件提供一定的支撑作用。挠性板是用柔性基材制成的印制板，也称为柔性板。其特点是可以弯曲。不同板材按结构可分为单面板，双面板和多层板，其中多于两层导电图形以上与绝缘材料交替粘在一起，且层间导电图形互联的印制板。是由多层双面板，每层板间放进一层绝缘层后黏牢(压合)而成，目前大部分的印制电路板普遍是多层板，并且其纵横比越来越高，纵横比及板厚与孔径的比值，由于板厚需要电镀药水的灌孔渗透性非常好，对电镀药水的要求也越来越高。
4.得益于铜的优越的导电性能、导热性能和可靠性，具有高电流承载能力，节约成本等优点，铜互联技术广泛应用半导体制造beol和先进封装制程中。在先进封装制程中铜互联是其关键制程，按照电镀铜的形态有分为rdl图形转移电镀和bump电镀。采用电镀铜互联的先进封装工艺与传统引线键合相比，封装的成本能下降20％，近年来先进封装技术迅速发展，应用范围逐渐扩展。
5.电镀铜是电子产品中实现电气互连最主要的方法，通常使用有机添加剂来实现均匀制作导电图形以及获得性质优良的镀层。镀铜添加剂主要由光亮剂、抑制剂和整平剂组成。镀液主要是由硫酸铜与硫酸组成，它们都参与电极过程。在镀液中他们是相互依存的关系。随着溶液中硫酸浓度的提高，硫酸铜的溶解度会降低，但溶液的导电率会显著提高。镀液中硫酸铜浓度太低，高电流区镀层易烧焦；硫酸铜浓度太高，镀液的分散能力和整平能力会降低。
6.例如，中国专利cn112030199b公开了一种用于先进封装的高速电镀铜添加剂及电镀液，其包括铜盐、酸、氯离子20-80ppm、加速剂2-2000ppm、载运剂5-5000ppm、整平剂3-3000ppm；所述铜盐中的铜离子的含量为20-90g/l，所述酸含量为0.5-5.0mol/l；所述加速剂为二硫代氨基甲酸衍生物，所述载运剂为eo-po嵌段共聚物，所述整平剂组合物为包含有
铜离子源和至少一种整平剂的组合物。该发明能够有效的解决先进封ump/rdl电镀易出现的麻点、粗糙、空洞、均匀性差、bump形貌不佳、不同位置高度不一致等缺陷的技术问题但是在高速镀铜液添加剂在制备的过程中，除了考虑添加剂带达到的效果，还要考虑添加剂消耗的速率，添加剂消耗的速率过快，使得镀铜液的时候时间缩短，并使得镀铜液的使用效率下降，以及各个添加剂中浓度的含量也是存在要求，具体数据要与所选的添加剂相匹配，例如，镀铜液中硫酸铜浓度太低，高电流区镀层易烧焦；硫酸铜浓度太高，造成镀铜液的分散能力和整平能力会降低。
7.针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现要素：
8.针对相关技术中的问题，本发明提出一种用于先进封装的高速电镀铜添加剂及其制备方法，以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。
9.为此，本发明采用的具体技术方案如下：一种用于先进封装的高速电镀铜添加剂，该溶液由以下成分组成：五水硫酸铜80-120g/l；硫酸180-220g/l；氯离子40-80g/l；整平剂50-200mg/l；光亮剂10-40mg/l；抑制剂100-1000mg/l；电镀开缸剂6-10mg/l。
10.进一步的，所述整平剂包括聚烷氧基化合物、聚硫代烷基化合物或不同烷基取代基的烷氧化合物。
11.进一步的，所述光亮剂为聚二硫二丙烷磺酸钠。
12.进一步的，所述抑制剂包括聚乙二醇、氧化乙基或氧化丙基共聚物。
13.进一步的，所述电镀开缸剂包括质量份数为1：1的醛类化合物与含锰化合物。
14.进一步的，所述醛类化合物为-二酮化合物。
15.进一步的，所述含锰化合物为环烷酸锰。
16.根据本发明的另一个方面，还提供一种用于先进封装的高速电镀铜添加剂的制备方法，该制备工艺包括以下步骤：s1、分别称取适量的五水硫酸铜、硫酸及氯离子，并将五水硫酸铜、硫酸及氯离子按照5：10：3的比例与水进行混合，得到基础液，并放置入cvs分析仪中；s2、设置施镀条件：镀液的搅拌速率为2600rpm/min，扫描速率为100mv/s；s3、向基础液中依次加入聚二硫二丙烷磺酸钠、聚乙二醇及整平剂，并进行搅拌；s4、在搅拌过程中向基础液中添加电镀开缸剂；s5、搅拌均匀后得到高速电镀铜添加剂。
17.进一步的，所述仪器室内温度控制为23~26℃。
18.进一步的，所述扫描电位范围为-0.225~1.625v。
19.氯离子：氯离子在电镀槽液中也是一种添加剂，既是阳极活化剂，又是镀层应力消
除剂。氯离子可以帮助阳极溶解，并且和添加剂协同作用使镀层光亮，平整，还可以降低镀层的张应力。
20.抑制剂：也称载运剂，主要物质是非离子型表面活性剂或阴离子表面活性剂，它们是作为光亮剂、整平剂的载体，提高了光亮剂、整平剂的溶解度和在电极上的活动能力，它本身对镀层均匀和晶粒细化作用，抑制剂也称载运剂，主要是协助光亮剂往镀面的分布均匀，同时也会提高电极极化过电位，抑制铜的沉积，降低槽液的表面张力，增加润湿效果，又常常叫湿润剂，其协助光亮剂在镀件表面分布，使得铜面具有光泽性，但须在氯离子的协助下才能发挥作用，载运剂本身不是很稳定，会分解成些分子量较低的载运剂在槽液中，并与原来不均匀的水膜形成厚度均匀的扩散层，使电流的二次分布更加均匀，具有一定的整平能力，分子量大的载运剂由于本身分子能力强，正电性较大，容易吸附在阴极的镀件上，由因其扩散系数比水膜小，极限电流密度低，容易出现生成气体的副反应，抑制铜的沉积，使得电流密度不同的镀件表面差异性减少，故也具有整平作用。
21.光亮剂：在氯离子协助作用下会产生去极化作用，降低过电位，加速镀铜速度，又称加速剂，光亮剂本身还进入镀层中参与结晶结构，影响干预铜原子沉积的自然结晶方式，促使变得更加细腻，又称晶粒细化剂，当然由于其使镀层外表变得平滑反光，故此称为光亮剂，光亮剂首先具有一定的增大极化作用。
22.整平剂：此类添加剂具有很强的正电性，比载运剂更强，容易吸附在镀件表面电流密度较大处，与铜离子竞争，使得铜离子在高电流处不易沉积，但又不影响低电流区的铜离子沉积，使得原本不平的表面变得平坦，故称为整平剂，整平剂的整平能力与取代基的结构密切相关，分子中存在共轭的一ch=ch-ch=ch-键，使得在阴极的吸附大为加强，并有效的抑制了铜离子在阴极的还原，具有偶氮基的分子，同样因为存在共轭结构而具有整平能力，共轭结构的特点使得原来局限于两个原子间的电子由定域变为离域，从而为两个原子以上所共有，分子的激发能降低，缩小了电子由非键轨道或π成键轨道向反键轨道的跃迁的能量，除了共轭键的形成影响整平能力，诱导效应、超共轭效应和空间位阻也同样影响整平能力，共轭性越大，整平能力越好，诱导效应、超共轭效应具有两方面的影响，一方面，它能增加共轭键的电子云密度，有利于光亮和整平，但另一方面空间位阻效应对整平性有负面作用，位阻越大，整平性越差。
23.电镀开缸剂：使光亮剂和平整剂的消耗速率变慢，同时添加电镀开缸剂中的醛类化合物对盲孔板底部拐角处镀铜层底部有一定加速镀层沉积作用。
24.本发明的有益效果为：1、本发明主要从通盲孔的深镀能力、电镀铜箔延展性、镀层热应力性能和镀层形貌等方面评价酸性镀铜光剂体系镀铜层性能，从而检验光剂是否可以初步应用于印制电路板镀铜。
25.2、本发明解决了高速镀铜光剂在阴极高电流密度下孔内镀层偏薄问题，使其具有较高的深镀能力，提高生产线的效率，该酸性电镀铜光剂使盲孔和通孔板同时进行共浴电镀，通过添加一种添加剂可解决镀盲孔螃蟹脚问题，简化了电镀工艺。
26.3、本发明在具体使用时，利用哈林槽进行小试实验，模拟vcp线高电流密度板面外观状况，根据板面外观状况选择光剂各组分进行筛选，并设计全因子实验，研究各光剂组分在不同浓度下对通孔深镀能力影响，优化光剂各组分浓度参数，在自制的40l的模拟vcp槽
进行模拟放大实验，用测试通盲孔板材，研究镀铜层在不同电流密度下的深镀能力以及延展性、结晶形貌、热冲击等镀层可靠性能，并研究影响各镀层性能的影响因素，利用循环伏安剥离法建立光剂各组分的分析方法并测试分析方法的分析结果准确度，最重要的是从机理上研究酸性镀铜光剂的稳定性，并测试光剂在不同电流密度下消耗量，同时采取措施提高光剂各组分在槽液中稳定性使其保持平衡和稳定，使镀层的品质得到更好的保证。
27.4、本发明在酸性镀铜配方成型后，光剂在槽液中能够保持稳定，可选择合适的印制电路板企业进行vcp产线试用，将实验进一步放大，测试酸性电镀铜光剂的镀层综合性能并及时跟进。
附图说明
28.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
29.图1是根据本发明实施例的一种用于先进封装的高速电镀铜添加剂及其制备方法的流程图；图2是根据本发明实施例的一种用于先进封装的高速电镀铜添加剂及其制备方法中表格1的镀铜溶液比值图；图3是根据本发明实施例的一种用于先进封装的高速电镀铜添加剂及其制备方法的流程图中表格1的抗拉伸度比值图。
具体实施方式
30.为进一步说明各实施例，本发明提供有附图，这些附图为本发明揭露内容的一部分，其主要用以说明实施例，并可配合说明书的相关描述来解释实施例的运作原理，配合参考这些内容，本领域普通技术人员应能理解其他可能的实施方式以及本发明的优点，图中的组件并未按比例绘制，而类似的组件符号通常用来表示类似的组件。
31.根据本发明的实施例，提供了一种用于先进封装的高速电镀铜添加剂及其制备方法。
32.实施例一一种用于先进封装的高速电镀铜添加剂，该溶液由以下成分组成：五水硫酸铜80g/l；硫酸180g/l；氯离子40g/l；整平剂50mg/l；光亮剂10mg/l；抑制剂100mg/l；电镀开缸剂6mg/l。
33.在一个实施例中，所述整平剂为聚烷氧基化合物。
34.在一个实施例中，所述光亮剂为聚二硫二丙烷磺酸钠。
35.在一个实施例中，所述抑制剂包括为聚乙二醇。
36.在一个实施例中，所述电镀开缸剂为质量份数为1：1的醛类化合物与含锰化合物的混合物。
37.在一个实施例中，所述醛类化合物为-二酮化合物。
38.在一个实施例中，所述含锰化合物为环烷酸锰。
39.选取并按照上述浓度配比的原料成分进行化学镀铜溶液的制备，并通过用于先进封装的高速电镀铜添加剂的制备，该制备工艺包括以下步骤：s1、分别称取适量的五水硫酸铜、硫酸及氯离子，并将五水硫酸铜、硫酸及氯离子按照5：10：3的比例与水进行混合，得到基础液，并放置入cvs分析仪中；s2、设置施镀条件：镀液的搅拌速率为2600rpm/min，扫描速率为100mv/s；s3
′
、向基础液中依次加入聚二硫二丙烷磺酸钠、聚乙二醇及聚烷氧基化合物，并进行搅拌；s4、在搅拌过程中向基础液中添加电镀开缸剂；s5、搅拌均匀后得到高速电镀铜添加剂。
40.在一个实施例中，所述仪器室内温度控制为25℃。
41.在一个实施例中，所述扫描电位范围为-0.225~1.625v。
42.实施例二一种用于先进封装的高速电镀铜添加剂，该溶液由以下成分组成：五水硫酸铜100g/l；硫酸200g/l；氯离子60g/l；整平剂125mg/l；光亮剂25mg/l；抑制剂550mg/l；电镀开缸剂8mg/l。
43.在一个实施例中，所述整平剂为聚硫代烷基化合物。
44.在一个实施例中，所述光亮剂为聚二硫二丙烷磺酸钠。
45.在一个实施例中，所述抑制剂为氧化乙基。
46.在一个实施例中，所述电镀开缸剂为质量份数为1：1的醛类化合物与含锰化合物的混合物。
47.在一个实施例中，所述醛类化合物为-二酮化合物。
48.在一个实施例中，所述含锰化合物为环烷酸锰。
49.选取并按照上述浓度配比的原料成分进行化学镀铜溶液的制备，并通过用于先进封装的高速电镀铜添加剂的制备，该制备工艺包括以下步骤：s1、分别称取适量的五水硫酸铜、硫酸及氯离子，并将五水硫酸铜、硫酸及氯离子按照5：10：3的比例与水进行混合，得到基础液，并放置入cvs分析仪中；s2、设置施镀条件：镀液的搅拌速率为2600rpm/min，扫描速率为100mv/s；s3
′′
、向基础液中依次加入聚二硫二丙烷磺酸钠、聚乙二醇及聚硫代烷基化合物，并进行搅拌；
s4、在搅拌过程中向基础液中添加电镀开缸剂；s5、搅拌均匀后得到高速电镀铜添加剂。
50.在一个实施例中，所述仪器室内温度控制为25℃。
51.在一个实施例中，所述扫描电位范围为-0.225~1.625v。
52.实施例三一种用于先进封装的高速电镀铜添加剂，该溶液由以下成分组成：五水硫酸铜120g/l；硫酸220g/l；氯离子80g/l；整平剂200mg/l；光亮剂40mg/l；抑制剂1000mg/l；电镀开缸剂10mg/l。
53.在一个实施例中，所述整平剂为不同烷基取代基的烷氧化合物。
54.在一个实施例中，所述光亮剂为聚二硫二丙烷磺酸钠。
55.在一个实施例中，所述抑制剂为氧化丙基共聚物。
56.在一个实施例中，所述电镀开缸剂为质量份数为1：1的醛类化合物与含锰化合物的混合物。
57.在一个实施例中，所述醛类化合物为-二酮化合物。
58.在一个实施例中，所述含锰化合物为环烷酸锰。
59.选取并按照上述浓度配比的原料成分进行化学镀铜溶液的制备，并通过用于先进封装的高速电镀铜添加剂的制备，该制备工艺包括以下步骤：s1、分别称取适量的五水硫酸铜、硫酸及氯离子，并将五水硫酸铜、硫酸及氯离子按照5：10：3的比例与水进行混合，得到基础液，并放置入cvs分析仪中；s2、设置施镀条件：镀液的搅拌速率为2600rpm/min，扫描速率为100mv/s；s3
′′′
、向基础液中依次加入聚二硫二丙烷磺酸钠、聚乙二醇及不同烷基取代基的烷氧化合物，并进行搅拌；s4、在搅拌过程中向基础液中添加电镀开缸剂；s5、搅拌均匀后得到高速电镀铜添加剂。
60.在一个实施例中，所述仪器室内温度控制为25℃。
61.在一个实施例中，所述扫描电位范围为-0.225~1.625v。
62.对比例一一种用于先进封装的高速电镀铜添加剂，该溶液由以下成分组成：五水硫酸铜120g/l；硫酸220g/l；氯离子80g/l；整平剂200mg/l；光亮剂40mg/l；抑制剂1000mg/l。
63.在一个实施例中，所述整平剂为聚烷氧基化合物。
64.在一个实施例中，所述光亮剂为聚二硫二丙烷磺酸钠。
65.在一个实施例中，所述抑制剂为聚乙二醇。
66.在一个实施例中，所述电镀开缸剂为质量份数为1：1的醛类化合物与含锰化合物的混合物。
67.在一个实施例中，所述醛类化合物为-二酮化合物。
68.在一个实施例中，所述含锰化合物为环烷酸锰。
69.选取并按照上述浓度配比的原料成分进行化学镀铜溶液的制备，并通过用于先进封装的高速电镀铜添加剂的制备，该制备工艺包括以下步骤：s1、分别称取适量的五水硫酸铜、硫酸及氯离子，并将五水硫酸铜、硫酸及氯离子按照5：10：3的比例与水进行混合，得到基础液，并放置入cvs分析仪中；s2、设置施镀条件：镀液的搅拌速率为2600rpm/min，扫描速率为100mv/s；s3
′′′′
、向基础液中依次加入聚二硫二丙烷磺酸钠、聚乙二醇及聚烷氧基化合物，并进行搅拌；s4
′
、搅拌均匀后得到高速电镀铜添加剂。
70.在一个实施例中，所述仪器室内温度控制为25℃。
71.在一个实施例中，所述扫描电位范围为-0.225~1.625v。
72.对比例二一种用于先进封装的高速电镀铜添加剂，该溶液由以下成分组成：五水硫酸铜120g/l；硫酸220g/l；氯离子80g/l；整平剂200mg/l；抑制剂1000mg/l。
73.在一个实施例中，所述整平剂为聚烷氧基化合物。
74.在一个实施例中，所述光亮剂为聚二硫二丙烷磺酸钠。
75.在一个实施例中，所述抑制剂为聚乙二醇。
76.在一个实施例中，所述电镀开缸剂包括质量份数为1：1的醛类化合物与含锰化合物。
77.在一个实施例中，所述醛类化合物为-二酮化合物。
78.在一个实施例中，所述含锰化合物为环烷酸锰。
79.选取并按照上述浓度配比的原料成分进行化学镀铜溶液的制备，并通过用于先进封装的高速电镀铜添加剂的制备，该制备工艺包括以下步骤：s1、分别称取适量的五水硫酸铜、硫酸及氯离子，并将五水硫酸铜、硫酸及氯离子按照5：10：3的比例与水进行混合，得到基础液，并放置入cvs分析仪中；s2、设置施镀条件：镀液的搅拌速率为2600rpm/min，扫描速率为100mv/s；s3
′′′′
、向基础液中依次加入聚二硫二丙烷磺酸钠、聚乙二醇及聚烷氧基化合物，并进行搅拌；s4
′′
、搅拌均匀后得到高速电镀铜添加剂。
80.在一个实施例中，所述仪器室内温度控制为25
°
c。
81.在一个实施例中，所述扫描电位范围为-0.225~1.625v。
82.对比例三一种用于先进封装的高速电镀铜添加剂，该溶液由以下成分组成：五水硫酸铜120g/l；硫酸220g/l；氯离子80g/l；整平剂200mg/l；抑制剂1000mg/l；加速剂10mg/l。
83.在一个实施例中，所述整平剂为聚烷氧基化合物。
84.在一个实施例中，所述抑制剂为聚乙二醇。
85.在一个实施例中，所述电镀开缸剂为质量份数为1：1的醛类化合物与含锰化合物的混合物。
86.在一个实施例中，所述醛类化合物为-二酮化合物。
87.在一个实施例中，所述含锰化合物为环烷酸锰。
88.选取并按照上述浓度配比的原料成分进行化学镀铜溶液的制备，并通过用于先进封装的高速电镀铜添加剂的制备，该制备工艺包括以下步骤：s1、分别称取适量的五水硫酸铜、硫酸及氯离子，并将五水硫酸铜、硫酸及氯离子按照5：10：3的比例与水进行混合，得到基础液，并放置入cvs分析仪中；s2、设置施镀条件：镀液的搅拌速率为2600rpm/min，扫描速率为100mv/s；s3
′′′′′′
、向基础液中加入聚乙二醇，并进行搅拌；s4
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、在搅拌过程中向基础液中添加加速剂；s5
′
、搅拌均匀后得到高速电镀铜添加剂。
89.在一个实施例中，所述仪器室内温度控制为25℃。
90.在一个实施例中，所述扫描电位范围为-0.225~1.625v实验例将实施例一、二、三与对比例一、二、三，按照七组内各成分的浓度制备1l的化学镀铜溶液，并利用对应的镀铜工艺将同规格同尺寸的pcb板置于镀铜溶液内进行镀铜，待镀铜完毕后去除pcb板进行质量与附着力测试（利用刀具将pcb板表面划分为若干1
×
1mm大小的网格，观察网格内方格是否发生脱落），并实时记录镀铜过程中的实验数据，如表1（图2-图3所示）-表2所示：表1：化学镀铜溶液的电镀性能对比 温度（℃）延伸率（%）抗拉伸度（mpa）添加剂消耗速率（%）实施例一2535.22685实施例二2534.22525实施例三2536.52745对比例一2530.22126对比例二2524.218610
对比例三2532.424010表2：硫酸铜在镀铜液中的含量比对 硫酸铜含量（g/l）电流密度（a/dm2）镀层质量实施例一750.6镀层平整细致光亮实施例二750.8镀层平整细致光亮实施例三1000.6镀层平整细致光滑光亮对比例一1000.8镀层平整细致光滑光亮对比例二500.6略微粗糙对比例三500.8有粗糙纹路由表1可知，本发明中公开的化学镀铜溶液能够对pcb板表面形成细致光滑光亮的镀层，并且镀层效率大大提高，抗拉伸效果好，同时内部成分具有环保、高效及寿命长的特点，满足于工业加工、pcb板高质量制备等领域。
91.综上所述，借助于本发明的上述技术方案，本发明主要从通盲孔的深镀能力、电镀铜箔延展性、镀层热应力性能和镀层形貌等方面评价酸性镀铜光剂体系镀铜层性能，从而检验光剂是否可以初步应用于印制电路板镀铜。本发明解决了高速镀铜光剂在阴极高电流密度下孔内镀层偏薄问题，使其具有较高的深镀能力，提高生产线的效率。该酸性电镀铜光剂使盲孔和通孔板同时进行共浴电镀，通过添加一种添加剂可解决镀盲孔螃蟹脚问题，简化了电镀工艺。本发明在具体使用时，利用哈林槽进行小试实验，模拟vcp线高电流密度板面外观状况，根据板面外观状况选择光剂各组分进行筛选，并设计全因子实验，研究各光剂组分在不同浓度下对通孔深镀能力影响，优化光剂各组分浓度参数，在自制的40l的模拟vcp槽进行模拟放大实验，用测试通盲孔板材，研究镀铜层在不同电流密度下的深镀能力以及延展性、结晶形貌、热冲击等镀层可靠性能。并研究影响各镀层性能的影响因素。利用循环伏安剥离法建立光剂各组分的分析方法并测试分析方法的分析结果准确度。最重要的是从机理上研究酸性镀铜光剂的稳定性。并测试光剂在不同电流密度下消耗量，同时采取措施提高光剂各组分在槽液中稳定性使其保持平衡和稳定，使镀层的品质得到更好的保证。本发明在酸性镀铜配方成型后，光剂在槽液中能够保持稳定，可选择合适的印制电路板企业进行vcp产线试用。将实验进一步放大，测试酸性电镀铜光剂的镀层综合性能并及时跟进。
92.以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
技术特征：
1.一种用于先进封装的高速电镀铜添加剂，其特征在于，该溶液由以下成分组成：五水硫酸铜80-120g/l；硫酸180-220g/l；氯离子40-80g/l；整平剂50-200mg/l；光亮剂10-40mg/l；抑制剂100-1000mg/l；电镀开缸剂6-10mg/l。2.根据权利要求1所述的一种用于先进封装的高速电镀铜添加剂，其特征在于，所述整平剂包括聚烷氧基化合物、聚硫代烷基化合物或不同烷基取代基的烷氧化合物。3.根据权利要求2所述的一种用于先进封装的高速电镀铜添加剂，其特征在于，所述光亮剂为聚二硫二丙烷磺酸钠。4.根据权利要求3所述的一种用于先进封装的高速电镀铜添加剂，其特征在于，所述抑制剂包括聚乙二醇、氧化乙基或氧化丙基共聚物。5.根据权利要求4所述的一种用于先进封装的高速电镀铜添加剂，其特征在于，所述电镀开缸剂包括质量份数为1：1的醛类化合物与含锰化合物。6.根据权利要求5所述的一种用于先进封装的高速电镀铜添加剂，其特征在于，所述醛类化合物为-二酮化合物。7.根据权利要求6所述的一种用于先进封装的高速电镀铜添加剂，其特征在于，所述含锰化合物为环烷酸锰。8.一种用于先进封装的高速电镀铜添加剂的制备方法，用于权利要求7所述用于先进封装的高速电镀铜添加剂的制备，其特征在于，该制备工艺包括以下步骤：s1、分别称取适量的五水硫酸铜、硫酸及氯离子，并将五水硫酸铜、硫酸及氯离子按照5：10：3的比例与水进行混合，得到基础液，并放置入cvs分析仪中；s2、设置施镀条件：镀液的搅拌速率为2600rpm/min，扫描速率为100mv/s；s3、向基础液中依次加入聚二硫二丙烷磺酸钠、聚乙二醇及整平剂，并进行搅拌；s4、在搅拌过程中向基础液中添加电镀开缸剂；s5、搅拌均匀后得到高速电镀铜添加剂。9.根据权利要求8所述的一种用于先进封装的高速电镀铜添加剂的制备方法，其特征在于，所述仪器室内温度控制为23~26℃。10.根据权利要求8所述的一种用于先进封装的高速电镀铜添加剂的制备方法，其特征在于，所述扫描电位范围为-0.225~1.625v。
技术总结
本发明公开了一种用于先进封装的高速电镀铜添加剂及其制备方法，该高速电镀铜添加剂由以下成分组成：五水硫酸铜80-120g/L；硫酸180-220g/L；氯离子40-80g/L；整平剂50-200mg/L；光亮剂10-40mg/L；抑制剂100-1000mg/L；电镀开缸剂6-10mg/L。本发明主要从通盲孔的深镀能力、电镀铜箔延展性、镀层热应力性能和镀层形貌等方面评价酸性镀铜光剂体系镀铜层性能，从而检验光剂是否可以初步应用于印制电路板镀铜。铜。铜。
