一种高对比度的LED器件及其制造方法与流程
一种高对比度的led器件及其制造方法
技术领域
1.本发明涉及led器件技术领域，尤其涉及一种高对比度的led器件及其制造方法。
背景技术：
2.对比度是指一幅图像中明暗区域最亮的白和最暗的黑之间不同亮度层级的差异，差异范围越大代表对比度越高，差异范围越小代表对比度越低。更准确的说，对比度是指屏幕上同一点最亮时(白)与最暗时(黑)的亮度的比值，不过通常led(light emitting diode，发光二极管)产品的对比度指标是就整个屏幕而言的。
3.目前，led显示市场对显示效果的要求越来越高，高对比度的产品可以显著提升显示屏的hdr(高动态范围成像)效果。目前高对比度的产品采用的方案主要为两种：方案1、正装结构的led采用的封装胶体内添加一定比例的黑素；方案2、采用倒装结构的led芯片，去掉焊线工序，减少金属焊盘的可视面积。
4.但是，目前的这两种方案均存在一些问题：方案1中，封装胶体中添加黑素，会导致封装胶体的光线透过率变低，从而对出光的亮度影响很大，无法射出的光线最后会转换成热量，导致led屏体温度上升。方案2中采用倒装芯片，但倒装结构的led芯片良品率较低，尤其是红光芯片，良品率只有60％-70％，从而导致成本居高不下。
5.故亟需一种发光效率高以及成本低的高对比度的led器件及其制造方法。
技术实现要素：
6.(一)要解决的技术问题
7.鉴于现有技术的上述缺点、不足，本发明提供一种高对比度的led器件及其制造方法，其解决了现有技术发光效率低以及成本高的技术问题。
8.(二)技术方案
9.为了达到上述目的，本发明采用的主要技术方案包括：
10.第一方面，本发明提供一种高对比度的led器件，包括led芯片和led支架，led支架上具有至少一个安装部。安装部包括反光区和非反光区，led芯片固定安装在反光区内，非反光区上覆盖有黑固化层。led芯片为正装结构的led芯片且led芯片通过透明的封装胶体进行封装。
11.可选地，黑固化层由不透光的黑物质沉积固化形成或由碳粉与固化剂的混合物喷涂后固化形成。
12.可选地，碳粉与固化剂的混合物中碳粉所占比例为0.1％～5％。
13.可选地，黑固化层的厚度为20～50μm。
14.可选地，封装胶体中混合有散光颗粒，封装胶体中混合的散光颗粒所占比例为30％以上。
15.可选地，led芯片包括r芯片、g芯片和b芯片。
16.可选地，led支架为smd支架或基板支架。
17.第二方面，本发明提供一种上述高对比度的led器件的制造方法，包括步骤：
18.s1、获得已经固晶焊线后的led支架，将调配好的黑涂料喷涂在led支架的安装部的非反光区上形成黑涂层。其中，黑涂料为固化剂和碳粉的混合物，混合物中碳粉所占比例为0.1％～5％。
19.s2、对喷涂的黑涂层进行固化处理，形成黑固化层。其中，黑固化层的厚度为20～50μm。
20.s3、对黑固化层通过aoi进行检验，若某一安装部上的黑固化层3对非反光区覆盖度小于90％，则将该安装部标记为不良，对标记不良的安装部的非反光区进行二次喷涂和固化，再通过aoi进行检验；直至黑固化层3对非反光区的覆盖度大于90％。
21.s4、检验合格后，采用封装胶体对led支架上的led芯片进行封装处理，得到led器件；其中，采用的封装胶体混合有散光颗粒，散光颗粒所占比例为30％以上。
22.第三方面，本发明提供另一种上述高对比度的led器件的制造方法，包括步骤：
23.s1、获得已经固晶焊线后的led支架，将led支架上安装部的反光区进行遮挡，然后通过镀膜工艺将不透光的黑物质沉积在安装部的非反光区上形成黑沉积层。
24.s2、对沉积形成的黑沉积层进行固化处理，形成黑固化层。其中，黑固化层的厚度为20～50μm。
25.s3、对黑固化层通过aoi进行检验，若某一安装部上的黑固化层3对非反光区覆盖度小于90％，则将该安装部标记为不良，对标记不良的安装部的非反光区进行二次喷涂和固化，再通过aoi进行检验；直至黑固化层3对非反光区的覆盖度大于90％。
26.s4、检验合格后，采用封装胶体对led支架上的led芯片进行封装处理，得到led器件；其中，采用的封装胶体混合有散光颗粒，散光颗粒所占比例为30％以上。
27.(三)有益效果
28.本发明的有益效果是：
29.本发明提供的一种高对比度的led器件，通过在led支架安装部的非反光区上覆盖黑固化层，减少非反光区的可视面积，进而提高led器件的对比度。不用在封装胶体中加入黑素来提高对比度，既不会影响led芯片的发光亮度，又不会降低封装胶体的透光率，相比于现有技术，提高了led芯片的发光效率，且采用正装结构的led芯片，生产成本低。
30.本发明提供的一种高对比度的led器件的制造方法，通过在已固晶焊线的led支架上喷涂预先调配好的黑涂料，再将黑涂层通过固化形成黑固化层，再通过aoi对黑沉积层进行检验，确保黑沉积层对非反光区覆盖度达到90％以上。该制造方法工艺简单，通过较低的成本就可以兼顾led器件的高对比度和亮度。
31.本发明提供的另一种高对比度的led器件的制造方法，在已固晶焊线的led支架上通过区域选择性镀膜工艺，在安装部的非反光区沉积形成黑沉积层，在将黑沉积层通过固化形成黑固化层，可以更加精准的对安装部内的非反光层进行覆盖，再通过aoi对黑沉积层进行检验，确保黑沉积层对非反光区覆盖度达到90％以上。该制造方法对非反光区覆盖的准确度更高，操作也简单，且成本低。
附图说明
32.图1为本发明的实施例1中的top型led器件的俯视示意图；
33.图2为本发明的实施例1中的top型led器件的截面示意图；
34.图3为本发明的实施例1中的chip型led器件的俯视示意图；
35.图4为本发明的实施例1中的chip型led器件的安装部的俯视示意图；
36.图5为本发明的实施例1中的chip型led器件的安装部的截面示意图；
37.图6为现有技术中的top型led器件的截面示意图；
38.图7为现有技术中的chip型led器件的安装部的截面示意图。
39.【附图标记说明】
40.1：plcc支架；2：led芯片；21：r芯片；22：g芯片；23：b芯片；3：黑固化层；4：pcb板。
具体实施方式
41.为了更好的理解上述技术方案，下面将参照附图更详细地描述本发明的示例性实施例。虽然附图中显示了本发明的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本发明而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更清楚、透彻地理解本发明，并且能够将本发明的范围完整的传达给本领域的技术人员。
42.实施例1：
43.如图1-图4所示，本发明实施例提供一种高对比度的led器件，其发明核心是在led支架安装部的非反光区上覆盖黑固化层3，减少非反光区的可视面积，进而提高led器件的对比度，使led器件的对比度高于5000:1，即高对比度。且采用正装结构的led芯片2，生产成本低。该led器件具体包括led芯片2和led支架，led支架上具有至少一个安装部。安装部包括反光区和非反光区，led芯片2固定安装在反光区内，非反光区上覆盖有黑固化层3。led芯片2为正装结构的led芯片2且led芯片2通过可透光的封装胶体进行封装。
44.具体地，led芯片2也被称为led发光芯片，是led器件的核心组件，其主要材料为三五族化合物半导体的晶圆片，也就是将晶圆片经过切割而成的晶片附在led支架上并封装起来。其中晶片由两部分组成，一部分是p型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是n型半导体，在这边主要是电子，这两种半导体连接在一起就形成一个p-n结。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向p区，在p区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是led芯片2发光的原理。在发明本实施例中，led芯片的电极均在顶部且分别通过金线电连led支架上的电极。正装结构的led芯片技术成熟，以低价的优势占据主导地位。本发明实施例提供的高对比度的led器件的原理是根据对比度的定义，对比度就是最白亮度单位与最黑亮度单位的比值，即白越亮，黑越暗，那么对比度就越高。通过黑固化层3覆盖住led支架安装部的非反光区，减少非反光区的可视面积，增加led芯片2发出白光的亮度，并降低其黑光亮度。由此，提高led器件的对比度。这样设计不用在封装胶体中加入黑素来提高对比度，既不会影响led芯片2的发光亮度，又不会降低封装胶体的透光率，相比于现有技术，提高了led芯片2的发光效率，且采用正装结构的led芯片2，生产成本低。
45.具体地，如图1-图4所示，led器件包括top(顶端)型led器件和chip(芯片)型led器件。top型led器件是指顶面发光、平面发光的led器件，top型led器件通常采用plcc(plastic leaded chip carrier，带引线的塑料芯片载体)支架1为封装载体。chip型led器件通常采用pcb(printed circuit board，印制电路板)板4作为封装载体。
46.优选地，黑固化层3由不透光的黑物质沉积固化形成或由碳粉与固化剂的混合物喷涂后固化形成。其中，在本实施例中，不透光的黑物质采用绝缘炭黑或者黑母粒。可以理解的是，采用绝缘炭黑或者黑母粒仅仅只是优选，采用其他黑的绝缘物质也能达到相同的效果。采用不透光的黑沉淀物沉积固化或者采用由碳粉与固化剂的混合物喷涂后固化，这两种固化方式都有两个共同的优点，即成本低且工艺简单，通过较低的成本和简单的工艺，就可以得到较高的对比度，性价比高。固化剂可以采用环氧树脂以及硅树脂等与bt(bismaleimide triazine，一种树脂化学商品名)树脂、ppa(polyphthalamide，耐高温尼龙)以及金属粘接比较牢靠的材料。
47.进一步地，黑固化层3的厚度为20～50μm。黑固化层3用于覆盖led支架安装部的非反光区，减少非反光区的面积，其厚度太小不达到覆盖的效果，厚度太大可能会影响led器件的使用效果。故将黑固化层3的厚度设计为20～50μm，可以满足实际的使用要求，一方面可以实现覆盖非反光区的效果，另一方面也不会影响led器件的使用效果。
48.进一步地，碳粉与固化剂的混合物中碳粉所占比例为0.1％～5％。根据不同的固化剂，混合添加不同比例的碳粉，确保混合物的喷涂效果。
49.进一步地，如图1和图3所示，led芯片2包括r(红光)芯片21、g(绿光)芯片22和b(蓝光)芯片23，r芯片21、g芯片22和b芯片23从上到下依次排布，三种芯片的电极分别通过金线电连led支架安装部的电极。红、绿、蓝为光学的三原，三种光可以组合呈现出各种光，进而在led器件上显示出彩图像。
50.进一步地，封装胶体中混合有散光颗粒，封装胶体中混合的散光颗粒所占比例为30％以上。在封装胶体中添加散光颗粒，可以保证led单颗灯珠(一个安装部以及安装部内的led芯片2组成单颗灯珠)内不同颜的光进行充分混光，提高led灯珠混光的均匀性，以及提高led灯珠的光的纯度，进而使led器件达到更好的显示效果。
51.进一步地，led支架采用fr-4(tera-function，环氧玻璃纤维板)或bt树脂等材料制成。如图1和图2所示，led支架为smd(surface mounted components，表面贴装器件)支架或基板支架。smd支架是指常规的元件封装载体，例如plcc支架1。常见的贴片二极管、贴片三极管以及贴片ic(integrated circuit，集成电路)等元件也均是采用的smd支架。基板支架是指采用pcb板4为封装载体。led器件采用smd支架或者基板支架，在smd支架或者基板支架安装部的非反光层做出黑固化层3均能够达到提高led器件对比度的效果。
52.相关地，如图5-图6所示，现有技术在封装胶体中添加黑素，虽然会使对比度有一定的提高，但效果并不理想。黑素会使封装胶体的光线透过率降低，对出光的亮度影响非常大。且led芯片2发出的光线进入封装胶体中后，由于黑素的影响，无法射出的光线会转化为热量，导致led器件的温度升高，影响到其使用效果。进一步的体现出本发明实施例提供的高对比度的led器件的效果，其在不影响亮度又兼顾生产成本的基础上，使led器件能够实现较高的对比度，具有很好的市场价值，也可以用于xr(extended reality，扩展现实，是vr(虚拟现实)、ar(增强现实)、mr(混合现实)的合称。通过可穿戴设备和计算机技术，xr可为受众带来真实与虚拟结合、人机交互的环境。)等对比度要求高的产品。
53.实施例2：
54.本发明实施例提供一种实施例1所述的高对比度的led器件的制造方法，具体包括步骤：
55.s1、获得已经固晶焊线(指将led芯片2固定安装在led支架上)后的led支架，将调配好的黑涂料喷涂在led支架的安装部的非反光区上形成黑涂层。其中，黑涂料为固化剂和碳粉的混合物，混合物中碳粉所占比例为0.1％～5％。根据不同的固化剂，混合添加不同比例的碳粉，确保混合物的喷涂效果。
56.s2、对喷涂的黑涂层进行固化处理，形成黑固化层3。其中，黑固化层3的厚度为20～50μm。黑固化层3用于覆盖led支架安装部的非反光区，减少非反光区的面积，其厚度太小不达到覆盖的效果，厚度太大可能会影响led器件的使用效果。故将黑固化层3的厚度设计为20～50μm，可以满足实际的使用要求，一方面可以实现覆盖非反光区的效果，另一方面也不会影响led器件的使用效果。
57.s3、对黑固化层3通过aoi(automated optical inspection，自动光学检测)进行检验，若某一安装部上的黑固化层3对非反光区覆盖度小于90％，则该安装部标记为不良，对标记不良的安装部的非反光区进行二次喷涂和固化，再通过aoi进行检验；直至黑固化层3对非反光区的覆盖度大于90％。aoi可以精确检验出黑固化层3对非反光区的覆盖度，确保黑固化层3对非反光区的覆盖度大于90％。
58.s4、检验合格后，采用封装胶体对led支架上的led芯片2进行封装处理，得到led器件；其中，采用的封装胶体混合有散光颗粒，散光颗粒所占比例为30％以上，在封装胶体中添加散光颗粒能够保证led灯珠内不同颜的光进行充分混光，提高led灯珠混光的均匀性，以及提高led灯珠的光的纯度，进而使led器件达到更好的显示效果。
59.s5、通过led分光分仪对led器件进行分光测试，将制造好的led器件进行分类分组，便于进行后道工序。
60.由此，通过在已固晶焊线的led支架上喷涂预先调配好的黑涂料，再将黑涂层通过固化形成黑固化层3，再通过aoi对黑沉积层进行检验，确保对非反光区覆盖的完整度。该制造方法工艺简单，通过较低的成本就可以兼顾led器件的高对比度和亮度。
61.具体地，通过本实施例的方法制造top型led器件的具体步骤为：
62.s1、获得已经固晶焊线后的plcc支架1，将调配好的黑涂料喷涂在plcc支架1的安装部的非反光区上形成黑涂层。其中，黑涂料为固化剂和碳粉的混合物，碳粉所占比例为0.1％～5％。
63.s2、对喷涂的黑涂层进行固化处理，形成黑固化层3。其中，黑固化层3的厚度为20～50μm。
64.s3、对黑固化层3通过aoi进行检验，若某一安装部上的黑固化层3对非反光区覆盖度小于90％，则该安装部标记为不良，对标记不良的安装部的非反光区进行二次喷涂和固化，再通过aoi进行检验；直至黑固化层3对非反光区的覆盖度大于90％。
65.s4、检验合格后，通过点胶机对plcc支架1上的led芯片2进行封装处理，封装处理后即得到top型led器件。其中，采用的封装胶体混合有散光颗粒，散光颗粒所占比例为30％以上。
66.s5、通过led分光分仪对top型led器件进行分光测试，将制造好的top型led器件进行分类分组，便于进行后道工序。
67.具体地，通过本实施例的方法制造chip型led器件的具体步骤为：
68.s1、获得已经固晶焊线后的pcb板4，将调配好的黑涂料喷涂在pcb板4的安装部
的非反光区上形成黑涂层。其中，黑涂料为固化剂和碳粉的混合物，碳粉所占比例为0.1％～5％。
69.s2、对喷涂的黑涂层进行固化处理，形成黑固化层3。其中，黑固化层3的厚度为20～50μm。
70.s3、对黑固化层3通过aoi进行检验，若某一安装部上的黑固化层3对非反光区覆盖度小于90％，则该安装部标记为不良，对标记不良的安装部的非反光区进行二次喷涂和固化，再通过aoi进行检验；直至黑固化层3对非反光区的覆盖度大于90％。
71.s4、检验合格后，通过mgp(multiplegateplunger，多注射头封装模具)塑封模具对pcb板4上的led芯片2进行模压封装处理。其中，采用的封装胶体混合有散光颗粒，散光颗粒所占比例为30％以上。采用多注射头的封装形式，其优势在于可均衡流道、实现近距离填充、树脂利用率高、封装工艺稳定以及封装质量好。
72.s5、对模压封装后的pcb板4进行切割分离，得到chip型led器件。
73.s6、通过led分光分仪对chip型led器件进行分光测试，将制造好的chip型led器件进行分类分组，便于进行后道工序。
74.实施例3：
75.本发明实施例提供另一种实施例1所述的高对比度的led器件的制造方法，具体包括步骤：
76.s1、获得已经固晶焊线后的led支架，将led支架上安装部的反光区进行遮挡，然后通过镀膜工艺将不透光的黑物质沉积在安装部的非反光区上形成黑沉积层；其中，在本实施例中，不透光的黑物质采用绝缘炭黑或者黑母粒。
77.s2、对沉积形成的黑沉积层进行固化处理，形成黑固化层3；其中，黑固化层3的厚度为20～50μm。
78.s3、对黑固化层3通过aoi进行检验，若某一安装部上的黑固化层3对非反光区覆盖度小于90％，则该安装部标记为不良，对标记不良的安装部的非反光区进行二次喷涂和固化，再通过aoi进行检验；直至黑固化层3对非反光区的覆盖度大于90％。
79.s4、检验合格后，采用封装胶体对led支架上的led芯片2进行封装处理，得到led器件；其中，采用的封装胶体混合有散光颗粒，散光颗粒所占比例30％以上。
80.s5、通过led分光分仪对led器件进行分光测试，将制造好的led器件进行分类分组，便于进行后道工序。
81.由此，在已固晶焊线的led支架上通过区域选择性镀膜工艺，在安装部的非反光区沉积形成黑沉积层，在将黑沉积层通过固化形成黑固化层3，可以更加精准的对安装部内的非反光层进行覆盖，再通过aoi对黑沉积层进行检验，确保对非反光区覆盖的完整度。该制造方法对非反光区覆盖的准确度更高，操作也简单，且成本低。
82.具体地，通过本实施例的方法制造top型led器件的具体步骤为：
83.s1、获得已经固晶焊线后的plcc支架1，将plcc支架1上安装部的反光区进行遮挡，然后通过镀膜工艺将不透光的黑物质沉积在安装部的非反光区上形成黑沉积层。
84.s2、对沉积形成的黑沉积层进行固化处理，形成黑固化层3；其中，黑固化层3的厚度为20～50μm。
85.s3、对黑固化层3通过aoi进行检验，若某一安装部上的黑固化层3对非反光区
覆盖度小于90％，则该安装部标记为不良，对标记不良的安装部的非反光区进行二次喷涂和固化，再通过aoi进行检验；直至黑固化层3对非反光区的覆盖度大于90％。
86.s4、检验合格后，采用点胶机对plcc支架1上的led芯片2进行封装处理，得到top型led器件；其中，采用的封装胶体混合有散光颗粒，散光颗粒所占比例30％以上。
87.s5、通过led分光分仪对top型led器件进行分光测试，将制造好的top型led器件进行分类分组，便于进行后道工序。
88.具体地，通过本实施例的方法制造chip型led器件的具体步骤为：
89.s1、获得已经固晶焊线后的pcb板4，将pcb板4上安装部的反光区进行遮挡，然后通过镀膜工艺将不透光的黑物质沉积在安装部的非反光区上形成黑沉积层；
90.s2、对沉积形成的黑沉积层进行固化处理，形成黑固化层3；其中，黑固化层3的厚度为20～50μm；
91.s3、对黑固化层3通过aoi进行检验，若某一安装部上的黑固化层3对非反光区覆盖度小于90％，则该安装部标记为不良，对标记不良的安装部的非反光区进行二次喷涂和固化，再通过aoi进行检验；直至黑固化层3对非反光区的覆盖度大于90％。
92.s4、检验合格后，通过mgp(multiplegateplunger，多注射头封装模具)塑封模具对pcb板4上的led芯片2进行模压封装处理。其中，采用的封装胶体混合有散光颗粒，散光颗粒所占比例为30％以上。
93.s5、对模压封装后的pcb板4进行切割分离，得到chip型led器件。
94.s6、通过led分光分仪对chip型led器件进行分光测试，将制造好的chip型led器件进行分类分组，便于进行后道工序。
95.在本发明的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
96.在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连；可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
97.在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”，可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”，可以是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”，可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度低于第二特征。
98.在本说明书的描述中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、“实施例”、“示例”、“具体示例”或“一些示例”等的描述，是指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域
的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
99.尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行改动、修改、替换和变型。
技术特征：
1.一种高对比度的led器件，其特征在于，包括led芯片(2)和led支架，led支架上具有至少一个安装部；安装部包括反光区和非反光区，led芯片(2)固定安装在反光区内，非反光区上覆盖有黑固化层(3)；led芯片(2)为正装结构的led芯片(2)且led芯片(2)通过可透光的封装胶体进行封装。2.如权利要求1所述的高对比度的led器件，其特征在于，黑固化层(3)由不透光的黑物质沉积固化形成或由碳粉与固化剂的混合物喷涂后固化形成。3.如权利要求2所述的高对比度的led器件，其特征在于，碳粉与固化剂的混合物中碳粉所占比例为0.1％～5％。4.如权利要求3所述的高对比度的led器件，其特征在于，黑固化层(3)的厚度为20～50μm。5.如权利要求4所述的高对比度的led器件，其特征在于，封装胶体中混合有散光颗粒，封装胶体中混合的散光颗粒所占比例为30％以上。6.如权利要求5所述的高对比度的led器件，其特征在于，led芯片(2)包括r芯片(21)、g芯片(22)和b芯片(23)。7.如权利要求6所述的高对比度的led器件，其特征在于，led支架为smd支架或基板支架。8.一种如权利要求7所述的高对比度的led器件的制作方法，其特征在于，包括步骤：s1、获得已经固晶焊线后的led支架，将调配好的黑涂料喷涂在led支架的安装部的非反光区上形成黑涂层；其中，黑涂料为固化剂和碳粉的混合物，混合物中碳粉所占比例为0.1％～5％；s2、对喷涂的黑涂层进行固化处理，形成黑固化层(3)；其中，黑固化层(3)的厚度为20～50μm；s3、对黑固化层(3)通过aoi进行检验，若某一安装部上的黑固化层3对非反光区覆盖度小于90％，则将该安装部标记为不良，对标记不良的安装部的非反光区进行二次喷涂和固化，再通过aoi进行检验；直至黑固化层3对非反光区的覆盖度大于90％；s4、检验合格后，采用封装胶体对led支架上的led芯片(2)进行封装处理，得到led器件；其中，采用的封装胶体混合有散光颗粒，散光颗粒所占比例为30％以上。9.一种如权利要求7所述的高对比度的led器件的制作方法，其特征在于，包括步骤：s1、获得已经固晶焊线后的led支架，将led支架上安装部的反光区进行遮挡，然后通过镀膜工艺将不透光的黑物质沉积在安装部的非反光区上形成黑沉积层；s2、对沉积形成的黑沉积层进行固化处理，形成黑固化层(3)；其中，黑固化层(3)的厚度为20～50μm；s3、对黑固化层(3)通过aoi进行检验，若某一安装部上的黑固化层3对非反光区覆盖度小于90％，则将该安装部标记为不良，对标记不良的安装部的非反光区进行二次喷涂和固化，再通过aoi进行检验；直至黑固化层3对非反光区的覆盖度大于90％；s4、检验合格后，采用封装胶体对led支架上的led芯片(2)进行封装处理，得到led器件；其中，采用的封装胶体混合有散光颗粒，散光颗粒所占比例30％以上。
技术总结
本发明涉及一种高对比度的LED器件，其中，包括LED芯片和LED支架，LED支架上具有至少一个安装部；安装部包括反光区和非反光区，LED芯片固定安装在反光区内，非反光区上覆盖有黑固化层；LED芯片为正装结构的LED芯片且LED芯片通过封装胶体进行封装。其有益效果是，提高了LED芯片的发光效率，且采用正装结构的LED芯片，生产成本低。本发明还涉及一种高对比度的LED器件的制造方法，其有益效果为，操作简单，通过较低的成本就可以兼顾LED器件的高对比度和亮度。本发明还涉及另一种高对比度的LED器件的制造方法，其有益效果为，对非反光区覆盖的准确度更高，操作也简单，且成本低。且成本低。且成本低。
