多腔室半导体设备的制作方法
1.本发明涉及半导体制造设备技术领域，更具体的说，涉及一种多腔室半导体设备。
背景技术：
2.薄膜沉积技术用于制造微电子器件的薄膜，在基板衬底上形成沉积物，常见的薄膜沉积技术包括物理气相沉积、化学气相沉积等技术。随着半导体技术节点的不断发展，
3.由于微电子和深亚微米芯片技术的发展要求器件和材料的尺寸不断降低，而器件中的高宽比不断增加，这样所使用材料的厚度降低至几个纳米数量级。ald(atomic layer deposition，原子层沉积)是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法，相比其它沉积方法，对薄膜的成份和厚度具有出的控制能力，所制备的薄膜保形性好、纯度高且均匀，因此受到了半导体材料制备领域的青睐。
4.在热原子层沉积工艺中，由两种或多种反应源轮流进入反应腔室中进行反应，通过化学吸附在衬底表面上进行反应沉积生成薄膜。每次反应源反应完成过后会紧跟着惰性气体进行吹扫，以清除多余的反应源以及化学反应生成副产物。
5.随着多腔室ald设备进一步发展，多种反应源在轮流进入反应腔室中反应，由于现有技术中对吹扫管路以及吹扫方式没有经过特殊设计，容易在腔室空间内形成吹扫死区，从而不能将多余的反应源和副产物清楚干净，并且吹扫效率不高，反应源注入效率也不高，降低了生产效率。
技术实现要素：
6.本发明的目的是提供一种多腔室半导体设备，解决现有技术存在吹扫死区以及反应源注入效率低，吹扫效率低的问题。
7.为了实现上述目的，本发明提供了多腔室半导体设备，包括：
8.多个反应腔室，每个反应腔室包括第一反应空间和第二反应空间：
9.第一反应源管路，可通断地与第一反应空间、第二反应空间连接，向第一反应空间、第二反应空间提供第一反应气体；
10.第二反应源管路，可通断地与第一反应空间、第二反应空间连接，向第一反应空间、第二反应空间提供第二反应气体；
11.吹扫管路，可通断地与第一反应空间、第二反应空间连接，持续性向第一反应空间、第二反应空间提供吹扫气体；
12.过渡管路，可通断地与吹扫管路、第一反应源管路、第二反应源管路连接，将通入的气体排出设备；
13.其中，所述吹扫管路，可通断地与第一吹扫源、第二吹扫源连接，选择接入第一吹扫源或第二吹扫源的吹扫气体；
14.第一反应源管路，通过阀门在第一反应空间、第二反应空间和过渡管路之间进行选择切换；
15.第二反应源管路，通过阀门在第一反应空间、第二反应空间和过渡管路之间进行选择切换。
16.在一实施例中，所述第一吹扫源的吹扫气体流量，与第二吹扫源的吹扫气体流量不同，差值大于第一阈值。
17.在一实施例中，所述阀门为原子层沉积阀。
18.在一实施例中，还包括高低流量吹扫集成模块：
19.所述高低流量吹扫集成模块，输入端与第一吹扫源、第二吹扫源连接，输出端与吹扫管路、过渡管路连接；
20.所述高低流量吹扫集成模块，内部设置数个阀门；
21.通过阀门控制选择第一吹扫源或第二吹扫源的吹扫气体接入吹扫管路进行吹扫；
22.通过阀门控制选择第一吹扫源或第二吹扫源的吹扫气体接入过渡管路进行排出。
23.在一实施例中，还包括反应源集成模块：
24.所述反应源集成模块，输入端与第一反应源管路\第二反应源管路、吹扫管路连接，输出端与过渡管路、第一反应空间\第二反应空间连接；
25.通过阀门控制选择将第一反应源管路\第二反应源管路、吹扫管路接入第一反应空间第一反应空间\第二反应空间或过渡管路。
26.在一实施例中，所述第一反应源管路，包括第一反应源第一支路和第一反应源第二支路：
27.所述第一反应源第一支路与第一反应空间连通，向第一反应空间提供第一反应气体；
28.第一反应源第二支路与第二反应空间连通，向第二反应空间提供第一反应气体；
29.所述吹扫管路，与第二吹扫源连通，向第一反应空间、第二反应空间提供第二吹扫源的吹扫气体；
30.所述过渡管路，与第一吹扫源连通，将第一吹扫源的吹扫气体排出设备。
31.在一实施例中，所述第一反应源管路，包括第一反应源第一支路和第一反应源第二支路：
32.所述第一反应源第一支路，与第一反应空间连通，向第一反应空间提供第一反应气体；
33.所述第一反应源第二支路，与过渡管路连通，将第一反应气体排出；
34.所述吹扫管路，与第二吹扫源连通，向第一反应空间、第二反应空间提供第二吹扫源的吹扫气体；
35.所述过渡管路，与第一吹扫源连通，将第一吹扫源的吹扫气体排出设备。
36.在一实施例中，所述第二反应源管路，包括第二反应源第一支路和第二反应源第二支路：
37.所述第二反应源第一支路与第一反应空间连通，向第一反应空间提供第二反应气体；
38.第二反应源第二支路与第二反应空间连通，向第二反应空间提供第二反应气体；
39.所述吹扫管路，与第二吹扫源连通，向第一反应空间、第二反应空间提供第二吹扫源的吹扫气体；
40.所述过渡管路，与第一吹扫源连通，将第一吹扫源的吹扫气体排出设备。
41.在一实施例中，所述第二反应源管路，包括第二反应源第一支路和第二反应源第二支路：
42.所述第二反应源第一支路，与第一反应空间连通，向第一反应空间提供第二反应气体；
43.所述第二反应源第二支路，与过渡管路连通，将第二反应气体排出；
44.所述吹扫管路，与第二吹扫源连通，向第一反应空间、第二反应空间提供第二吹扫源的吹扫气体；
45.所述过渡管路，与第一吹扫源连通，将第一吹扫源的吹扫气体排出设备。
46.在一实施例中，所述吹扫管路，与第一吹扫源连通，向第一反应空间、第二反应空间提供第一吹扫源的吹扫气体；
47.所述过渡管路，与第二吹扫源连通，将第二吹扫源的吹扫气体排出设备。
48.在一实施例中，所述第一反应源，与过渡管路连通，将第一反应气体排出。
49.在一实施例中，所述第二反应源，与过渡管路连通，将第二反应气体排出。
50.在一实施例中，所述反应源集成模块与高低流量吹扫集成模块，设置有加热棒，进行恒温加热控制。
51.在一实施例中，所述第一反应源管路、第二反应源管路、吹扫管路和过渡管路设置有加热带，对管路进行恒温加热控制。
52.本发明提供的一种多腔室半导体设备，将高流量吹扫气体和低流量吹扫气体持续性地流入吹扫管路，在反应源边上设置过渡管路并通过阀门进行气路切换，实现吹扫气体和反应源交替进入腔体，一方面可以减少吹扫死区，另一方面可以快速注入和快速吹扫。
附图说明
53.本发明上述的以及其他的特征、性质和优势将通过下面结合附图和实施例的描述而变的更加明显，在附图中相同的附图标记始终表示相同的特征，其中：
54.图1揭示了根据本发明一实施例的多腔室半导体设备的结构示意图；
55.图2揭示了根据本发明一实施例的多腔室半导体设备的工艺逻辑示意图；
56.图3揭示了根据本发明一实施例的高低流量吹扫集成模块的结构示意图；
57.图4揭示了根据本发明一实施例的高低流量吹扫集成模块的c-c截面示意图；
58.图5揭示了根据本发明一实施例的高低流量吹扫集成模块的d-d截面示意图；
59.图6揭示了根据本发明一实施例的第一反应源集成模块的结构示意图；
60.图7揭示了根据本发明一实施例的第一反应源集成模块的a-a截面示意图；
61.图8揭示了根据本发明一实施例的第一反应源集成模块的b-b截面示意图。
62.图中各附图标记的含义如下：
63.101第一反应源管路；
64.1011第一反应源第一支路；
65.1012第一反应源第二支路；
66.102第二反应源管路；
67.1021第二反应源第一支路；
68.1022第二反应源第二支路；
69.201第一反应空间；
70.202第二反应空间；
71.300吹扫管路；
72.400过渡管路；
73.500高低流量吹扫集成模块；
74.601第一吹扫源；
75.602第二吹扫源；
76.700反应源集成模块。
具体实施方式
77.为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释发明，并不用于限定发明。
78.在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
79.图1揭示了根据本发明一实施例的多腔室半导体设备的结构示意图，图2揭示了根据本发明一实施例的多腔室半导体设备的工艺逻辑示意图，如图1和图2所示，本发明提出的多腔室半导体设备，包括多个反应腔室、第一反应源管路101、第二反应源管路102、吹扫管路300、过渡管路400和高低流量吹扫集成模块500：
80.所述多个反应腔室，每个反应腔室包括第一反应空间201和第二反应空间202：
81.所述第一反应源管路101，可通断地与第一反应空间201、第二反应空间202连接，向第一反应空间201、第二反应空间202提供第一反应气体；
82.所述第二反应源管路102，可通断地与第一反应空间201、第二反应空间202连接，向第一反应空间201、第二反应空间202提供第二反应气体；
83.所述吹扫管路300，可通断地与第一反应空间201、第二反应空间202连接，持续性向第一反应空间201、第二反应空间202提供吹扫气体；
84.所述过渡管路400，可通断地与吹扫管路300、第一反应源管路101、第二反应源管路102连接，将通入的气体排出设备；
85.其中，所述吹扫管路300，可通断地与第一吹扫源601、第二吹扫源602连接，选择接入第一吹扫源601或第二吹扫源602的吹扫气体；
86.所述第一反应源管路101，通过阀门在第一反应空间201、第二反应空间202和过渡管路400之间进行选择切换；
87.所述第二反应源管路102，通过阀门在第一反应空间201、第二反应空间202和过渡管路400之间进行选择切换。
88.本实施例中，在进入第一反应空间201、第二反应空间202的喷淋板之前，两种或者
多个反应源完全分开独立而不接触，意味着在进入反应区域之前不发生反应。
89.更进一步的，所述第一吹扫源601的吹扫气体流量，与第二吹扫源602的吹扫气体流量不同，差值大于第一阈值。
90.在本实施例中，第一吹扫源601为高流量吹扫源，第二吹扫源602为低流量吹扫源。
91.高流量和低流量是一个相对概念，意味着第一吹扫源601的吹扫气体流量高于第二吹扫源602的吹扫气体流量。
92.需要说明的是，本实施例中，阀门为原子层沉积(ald)阀。
93.高低流量吹扫气体一直持续流通，利用ald阀门进行快速切换，阀门整体的开关时间为20毫秒。
94.为了对持续流通的高低流量吹扫气体进行切换，本发明提出的多腔室半导体设备，设置了高低流量吹扫集成模块500，通过集成模块的设置实现气体切换，气体流道短，死区小。
95.图3揭示了根据本发明一实施例的高低流量吹扫集成模块的结构示意图，图4揭示了图3的高低流量吹扫集成模块的c-c截面示意图，图5揭示了图3的高低流量吹扫集成模块的d-d截面示意图，如图3-图5所示，所述高低流量吹扫集成模块500，输入端与第一吹扫源601、第二吹扫源602连接，输出端与吹扫管路300、过渡管路400连接；
96.所述高低流量吹扫集成模块500，内部设置数个阀门以及相应的通道；
97.通过阀门控制选择第一吹扫源601或第二吹扫源602的吹扫气体接入吹扫管路300进行吹扫；
98.通过阀门控制选择第一吹扫源601或第二吹扫源602的吹扫气体接入过渡管路300进行排出。
99.高低流量吹扫通道与过渡管路直连，可以减少吹扫死区。
100.高低流量吹扫通道与吹扫源气体管路直连，可以减少死区。
101.第一反应源管路101、第二反应源管路102与高低流量吹扫集成模块500，设置有加热棒，进行恒温加热，管路温度控制在大于180度。
102.更具体的说，高低流量吹扫集成模块500，设置有加热棒，加热棒能够使集成块温度恒定在180摄氏度。
103.第一反应源管路101、第二反应源管路102、吹扫管路300、过渡管路400等与第一反应空间201、第二反应空间202连接的管路，设置有加热带，对管路进行恒温加热控制。
104.更进一步的，加热带为夹克式加热带(heating jacket)，使得管路温度恒定在180摄氏度。
105.所述第一反应源管路101，包括第一反应源第一支路1011和第一反应源第二支路1012。
106.所述第二反应源管路102，包括第二反应源第一支路1021和第二反应源第二支路1022。
107.为了实现反应源管路(支路)与反应空间、过渡管之间的切换，本发明提出的多腔室半导体设备，设置了反应源集成模块600，每个反应源集成模块通入一种反应气体；
108.反应源集成模块的数量与反应空间相关联，一个反应空间对应两个反应源集成模块，用于通入两种反应气体，通过集成模块的设置实现气体通道的切换，气体流道短，死区
小。
109.图6揭示了根据本发明一实施例的第一反应源集成模块的结构示意图，图7为图6的第一反应源集成模块的a-a截面示意图，图8为图6的第一反应源集成模块的b-b截面示意图，如图6-图8所示的反应源集成模块700，输入端与第一反应源第一支路1011、吹扫管路300、过渡管路400连接，输出端与过渡管路400、第一反应空间201连接。
110.通过阀门控制选择第一反应源第一支路1011、吹扫管路300接入第一反应空间201或过渡管路400。
111.输入端的过渡管路400对应的是高低流量吹扫集成模块500输出端的过渡管路，经过反应源集成模块700的内部通道后输出到输出端的过渡管路400。
112.反应源集成模块700设置有加热棒，加热棒能够使集成块温度恒定在180摄氏度。
113.下面结合图2说明本发明的多腔室半导体设备在多种工艺流程中的工作原理。
114.1)第一反应源脉冲进入两个反应空间。
115.第一反应源为四氯化钛(ticl 4)，此时，低流量吹扫气体进入两个反应空间，高流量吹扫气体进入过渡管路，具体的工艺连通逻辑如下：
116.第一反应源第一支路1011与第一反应空间201连通，向第一反应空间201提供第一反应气体；
117.第一反应源第二支路1012与第二反应空间202连通，向第二反应空间202提供第一反应气体；
118.吹扫管路300，与第二吹扫源602连通，向第一反应空间201、第二反应空间202提供第二吹扫源602的低流量吹扫气体；
119.过渡管路400，与第一吹扫源601连通，将第一吹扫源601的高流量吹扫气体排出设备。
120.2)第一反应源脉冲进入一个反应空间中。
121.第一反应源脉冲进入第一反应空间而不进入第二反应空间，低流量吹扫气体进入两个反应空间，高流量吹扫气体进入过渡管路，具体的工艺连通逻辑如下：
122.第一反应源第一支路1011，与第一反应空间201连通，向第一反应空间201提供第一反应气体；
123.第一反应源第二支路1012，与过渡管路400连通，将第一反应气体排出；
124.吹扫管路300，与第二吹扫源602连通，向第一反应空间201、第二反应空间202提供第二吹扫源602的低流量吹扫气体；
125.过渡管路400，与第一吹扫源601连通，将第一吹扫源601的高流量吹扫气体排出设备。
126.需要说明的是，第一反应源进入第二反应空间而不进入第一反应空间的工艺流程与上述流程类似，这里不再赘述。
127.3)第二反应源脉冲进入两个反应空间。
128.第二反应源为三乙醇胺(tea)，与第一种工艺流程相似，低流量吹扫气体进入两个反应空间，高流量吹扫气体进入过渡管路，具体的工艺连通逻辑如下：
129.第二反应源第一支路1021与第一反应空间201连通，向第一反应空间201提供第二反应气体；
130.第二反应源第二支路1022与第二反应空间202连通，向第二反应空间202提供第二反应气体；
131.吹扫管路300，与第二吹扫源602连通，向第一反应空间201、第二反应空间202提供第二吹扫源602的低流量吹扫气体；
132.过渡管路400，与第一吹扫源601连通，将第一吹扫源601的高流量吹扫气体排出设备。
133.4)第二反应源脉冲进入一个反应空间中。
134.第二反应源进入第一反应空间而不进入第二反应空间，与第一种工艺流程相似，低流量吹扫气体进入两个反应空间，高流量吹扫气体进入过渡管路，具体的工艺连通逻辑如下：
135.第二反应源第一支路1021，与第一反应空间201连通，向第一反应空间201提供第二反应气体；
136.第二反应源第二支路1022，与过渡管路400连通，将第二反应气体排出；
137.吹扫管路300，与第二吹扫源602连通，向第一反应空间201、第二反应空间202提供第二吹扫源602的低流量吹扫气体；
138.过渡管路400，与第一吹扫源601连通，将第一吹扫源601的高流量吹扫气体排出设备。
139.需要说明的是，第二反应源进入第二反应空间而不进入第一反应空间的工艺流程与上述流程类似，这里不再赘述。
140.5)吹扫流程
141.吹扫管路300，与第一吹扫源601连通，向第一反应空间201、第二反应空间202提供第一吹扫源601的高流量吹扫气体，实现快速吹扫；
142.所述过渡管路400，与第二吹扫源602连通，将第二吹扫源602的低流量吹扫气体排出设备。
143.更进一步的，参与后续反应流程的反应源管路，与过渡管路连通，反应气体提前充满反应源与反应空间之间管路，通过过渡管路将反应气体排出，进一步提高反应效率。
144.举例来说，第一种工艺流程进入第三种工艺流程时，第一反应源脉冲进入两个反应空间进行反应，之后进行吹扫流程，第二反应源脉冲进入两个反应空间进行反应，那么这个吹扫流程中，第二反应源管路102与过渡管路400连通，第二反应气体提前充满第二反应源管路102并通过过渡管路400排出。
145.在开始第三种工艺流程时，第二反应源管路在进入两个反应空间，可以减少管路内部通入第二反应气体的时间，加快反应效率。
146.本发明提供的一种多腔室半导体设备，可以快速注入反应源以及快速吹扫干净反应源，增加产能，减少维护，提高设备运行的时间。
147.在本发明的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
148.如本技术和权利要求书中所示，除非上下文明确提示例外情形，“一”、“一个”、“一
种”和/或“该”等词并非特指单数，也可包括复数。一般说来，术语“包括”与“包含”仅提示包括已明确标识的步骤和元素，而这些步骤和元素不构成一个排它性的罗列，方法或者设备也可能包含其他的步骤或元素。
149.术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确的限定。
150.除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
151.上述实施例是提供给熟悉本领域内的人员来实现或使用本发明的，熟悉本领域的人员可在不脱离本发明的发明思想的情况下，对上述实施例做出种种修改或变化，因而本发明的保护范围并不被上述实施例所限，而应该是符合权利要求书提到的创新性特征的最大范围。
技术特征：
1.一种多腔室半导体设备，其特征在于，包括：多个反应腔室，每个反应腔室包括第一反应空间和第二反应空间：第一反应源管路，可通断地与第一反应空间、第二反应空间连接，向第一反应空间、第二反应空间提供第一反应气体；第二反应源管路，可通断地与第一反应空间、第二反应空间连接，向第一反应空间、第二反应空间提供第二反应气体；吹扫管路，可通断地与第一反应空间、第二反应空间连接，持续性向第一反应空间、第二反应空间提供吹扫气体；过渡管路，可通断地与吹扫管路、第一反应源管路、第二反应源管路连接，将通入的气体排出设备；其中，所述吹扫管路，可通断地与第一吹扫源、第二吹扫源连接，选择接入第一吹扫源或第二吹扫源的吹扫气体；第一反应源管路，通过阀门在第一反应空间、第二反应空间和过渡管路之间进行选择切换；第二反应源管路，通过阀门在第一反应空间、第二反应空间和过渡管路之间进行选择切换。2.根据权利要求1所述的多腔室半导体设备，其特征在于，所述第一吹扫源的吹扫气体流量，与第二吹扫源的吹扫气体流量不同，差值大于第一阈值。3.根据权利要求1所述的多腔室半导体设备，其特征在于，所述阀门为原子层沉积阀。4.根据权利要求1所述的多腔室半导体设备，其特征在于，还包括高低流量吹扫集成模块：所述高低流量吹扫集成模块，输入端与第一吹扫源、第二吹扫源连接，输出端与吹扫管路、过渡管路连接；所述高低流量吹扫集成模块，内部设置数个阀门；通过阀门控制选择第一吹扫源或第二吹扫源的吹扫气体接入吹扫管路进行吹扫；通过阀门控制选择第一吹扫源或第二吹扫源的吹扫气体接入过渡管路进行排出。5.根据权利要求4所述的多腔室半导体设备，其特征在于，还包括反应源集成模块：所述反应源集成模块，输入端与第一反应源管路\第二反应源管路、吹扫管路连接，输出端与过渡管路、第一反应空间\第二反应空间连接；通过阀门控制选择将第一反应源管路\第二反应源管路、吹扫管路接入第一反应空间第一反应空间\第二反应空间或过渡管路。6.根据权利要求1所述的多腔室半导体设备，其特征在于，所述第一反应源管路，包括第一反应源第一支路和第一反应源第二支路：所述第一反应源第一支路与第一反应空间连通，向第一反应空间提供第一反应气体；第一反应源第二支路与第二反应空间连通，向第二反应空间提供第一反应气体；所述吹扫管路，与第二吹扫源连通，向第一反应空间、第二反应空间提供第二吹扫源的吹扫气体；所述过渡管路，与第一吹扫源连通，将第一吹扫源的吹扫气体排出设备。7.根据权利要求1所述的多腔室半导体设备，其特征在于，所述第一反应源管路，包括
第一反应源第一支路和第一反应源第二支路：所述第一反应源第一支路，与第一反应空间连通，向第一反应空间提供第一反应气体；所述第一反应源第二支路，与过渡管路连通，将第一反应气体排出；所述吹扫管路，与第二吹扫源连通，向第一反应空间、第二反应空间提供第二吹扫源的吹扫气体；所述过渡管路，与第一吹扫源连通，将第一吹扫源的吹扫气体排出设备。8.根据权利要求1所述的多腔室半导体设备，其特征在于，所述第二反应源管路，包括第二反应源第一支路和第二反应源第二支路：所述第二反应源第一支路与第一反应空间连通，向第一反应空间提供第二反应气体；第二反应源第二支路与第二反应空间连通，向第二反应空间提供第二反应气体；所述吹扫管路，与第二吹扫源连通，向第一反应空间、第二反应空间提供第二吹扫源的吹扫气体；所述过渡管路，与第一吹扫源连通，将第一吹扫源的吹扫气体排出设备。9.根据权利要求1所述的多腔室半导体设备，其特征在于，所述第二反应源管路，包括第二反应源第一支路和第二反应源第二支路：所述第二反应源第一支路，与第一反应空间连通，向第一反应空间提供第二反应气体；所述第二反应源第二支路，与过渡管路连通，将第二反应气体排出；所述吹扫管路，与第二吹扫源连通，向第一反应空间、第二反应空间提供第二吹扫源的吹扫气体；所述过渡管路，与第一吹扫源连通，将第一吹扫源的吹扫气体排出设备。10.根据权利要求1所述的多腔室半导体设备，其特征在于，所述吹扫管路，与第一吹扫源连通，向第一反应空间、第二反应空间提供第一吹扫源的吹扫气体；所述过渡管路，与第二吹扫源连通，将第二吹扫源的吹扫气体排出设备。11.根据权利要求10所述的多腔室半导体设备，其特征在于，所述第一反应源，与过渡管路连通，将第一反应气体排出。12.根据权利要求10所述的多腔室半导体设备，其特征在于，所述第二反应源，与过渡管路连通，将第二反应气体排出。13.根据权利要求5所述的多腔室半导体设备，其特征在于，所述反应源集成模块与高低流量吹扫集成模块，设置有加热棒，进行恒温加热控制。14.根据权利要求1所述的多腔室半导体设备，其特征在于，所述第一反应源管路、第二反应源管路、吹扫管路和过渡管路设置有加热带，对管路进行恒温加热控制。
技术总结
本发明涉及半导体制造设备技术领域，更具体的说，涉及一种多腔室半导体设备。本发明提供的多腔室半导体设备，包括过渡管路，可通断地与吹扫管路、第一反应源管路、第二反应源管路连接，将通入的气体排出设备；吹扫管路，可通断地与第一吹扫源、第二吹扫源连接，选择接入第一吹扫源或第二吹扫源的吹扫气体；第一反应源管路，通过阀门在第一反应空间、第二反应空间和过渡管路之间进行选择切换；第二反应源管路，通过阀门在第一反应空间、第二反应空间和过渡管路之间进行选择切换。本发明将高流量吹扫气体和低流量吹扫气体持续性地流入吹扫管路，实现吹扫气体和反应源交替进入腔体，一方面减少吹扫死区，另一方面可以快速注入和快速吹扫。吹扫。吹扫。
