一种用于砷化镓芯片背面通孔的镀金方法与流程
1.本发明涉及芯片加工技术领域，具体为一种用于砷化镓芯片背面通孔的镀金方法。
背景技术：
2.砷化镓是一种重要的半导体材料，它在加工处理时常常采用在其背板处打孔的设置，来实现电信号的互联或者高密度的三维集成，目前的三维集成主要使用金的电镀。
3.公开号为cn103741179 b的中国发明提出了一种带通孔的半导体硅片的三维立体电镀金装置及方法，该装置通过将阳极设置为两块对称的金板，并通过采用磁力搅拌棒进行顺时针和逆时针定时双向运动的设置，使得电镀液分布均匀，但是该方案在实际使用时却忽略了磁力搅拌棒在搅拌时会对芯片的放置位置造成影响，从而使得芯片的其他位置也会受到电镀的影响，间接的降低了砷化镓芯片背面通孔在电镀时的均匀性和效率，为此提出一种新型方案以解决上述存在的问题。
技术实现要素：
4.本发明的目的在于提供一种用于砷化镓芯片背面通孔的镀金方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
5.为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种用于砷化镓芯片背面通孔的镀金方法，包括以下步骤：
6.步骤一、在砷化镓芯片的背板处及背面通孔的内部蒸发金属；
7.步骤二、向准备好的电镀设备内填充电镀液；
8.步骤三、将砷化镓芯片放置在电镀设备内部的槽内，
9.步骤四、将电镀设备卡接槽内的锁止装置插入，并调整砷化镓芯片放的背板的朝向；
10.步骤五、将电源线和电镀设备上接线柱连接；
11.步骤六、砷化镓芯片的背板处及背面通孔处上的金属络子不断增加直至电镀完成。
12.更进一步地，步骤一中的金属为金、铜或铝中的一种，步骤一中的砷化镓芯片背板为硅材质。
13.更进一步地，步骤二中的电镀液，其内部的组分包括有三氯化金水合物、配位剂、光亮剂、络合剂、表面活性剂、针孔消除剂和去离子水。
14.更进一步地，其中三氯化金水合物、配位剂、光亮剂、络合剂、表面活性剂、针孔消除剂和去离子水占总溶液比例为2:1:2.5:2.5:3:1:3，所述总溶液的含量为450ml-600ml。
15.更进一步地，步骤三中的电镀设备包括防护开口盒，防护开口盒的内部放置有储液开口盒，所述储液开口盒外部的两端分别固定连接有通电板，通电板的顶端固定连接有连通接头，其中一个通电板内侧固定连接有电极棒，另一个通电板的内侧固定连接有导电
金属板，所述电极棒和导电金属板均和通电板电性连接。
16.更进一步地，所述导电金属板内侧的顶端固定连接有连通柱，连通柱的一端贯穿储液开口盒和安装有导电金属板的所述通电板相固定，所述导电金属板内部的底端开设有卡接槽，所述砷化镓芯片放置在卡接槽的内部。
17.更进一步地，所述导电金属板的内壁上开设有插接孔，所述插接孔设置有多个，且等距均匀的分布在所述导电金属板的内壁上，所述导电金属板通过插接孔插接有锁止架。
18.更进一步地，所述连通接头的外部插接有接线桩头，接线桩头外部的顶端缠绕紧固有连通线束，所述连通线束、接线桩头和连通接头均为导电材质制成。
19.更进一步地，所述防护开口盒的底部设置有夹持组件，所述夹持组件包括放置座，放置座顶部一端的两侧分别开设有滑动槽，所述滑动槽的内部横放固定有拉力弹簧；
20.所述放置座顶部的四周分别设置有卡接块，其中一端两侧的卡接块的底部固定连接有连接柱，连接柱和所述滑动槽相适配，且拉力弹簧的末端挂在所述连接柱的外壁上，另外两个所述卡接块的底部和所述防护开口盒的顶部相固定。
21.与现有技术相比，本发明的有益效果是：
22.该用于砷化镓芯片背面通孔的镀金方法，通过将砷化镓芯片放置固定在电镀设备内部的槽内，并使用锁止装置插入固定，使得砷化镓芯片在电镀液电镀时，能够时刻让背板处的位置保持恒定，减少了因砷化镓芯片因摆动而导致砷化镓芯片其他部位受到电镀的影响，间接的提高了砷化镓芯片背面通孔在电镀时的均匀性和效率。
23.该用于砷化镓芯片背面通孔的镀金方法，通过在防护开口盒底部的放置座内安装以拉力弹簧为主要输出件的夹持组件的设置，使得该装置在实行电镀操作时，防护开口盒能够时刻保持稳定，降低了在电镀操作过程中，因操作失误而导致防护开口盒翻转的现象，提高了电镀设备的稳定性。
附图说明
24.图1为本发明电镀设备的等轴测图；
25.图2为本发明电镀设备的内部结构组成图；
26.图3为本发明电镀设备底部的夹持组件结构示意图；
27.图4为本发明电镀设备内卡接组件的结构组成图。
28.图中：1、防护开口盒；2、夹持组件；21、放置座；22、滑动槽；23、拉力弹簧；24、卡接块；3、接线桩头；4、储液开口盒；5、电极棒；6、连通线束；7、装配缺口；8、卡接组件；81、通电板；82、连通接头；83、连通柱；84、导电金属板；85、卡接槽；86、锁止架；87、插接孔。
具体实施方式
29.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
30.砷化镓是一种重要的半导体材料，它在加工处理时常常采用在其背板处打孔的设置，来实现电信号的互联或者高密度的三维集成，目前的三维集成主要使用金的电镀。
31.公开号为cn103741179 b的中国发明提出了一种带通孔的半导体硅片的三维立体电镀金装置及方法，该装置通过将阳极设置为两块对称的金板，并通过采用磁力搅拌棒进行顺时针和逆时针定时双向运动的设置，使得电镀液分布均匀，但是该方案在实际使用时却忽略了磁力搅拌棒在搅拌时会对芯片的放置位置造成影响，从而使得芯片的其他位置也会受到电镀的影响，间接的降低了砷化镓芯片背面通孔在电镀时的均匀性和效率，为此提出一种新型方案以解决上述存在的问题。
32.其中需要说明的是，该方案的具体步骤包括：
33.步骤一、在砷化镓芯片的背板处及背面通孔的内部蒸发金属粉末；
34.步骤二、向准备好的电镀设备内填充电镀液；
35.步骤三、将砷化镓芯片放置在电镀设备内部的槽内，
36.步骤四、将电镀设备卡接槽85内的锁止装置插入，并调整砷化镓芯片放的背板的朝向；
37.步骤五、将电源线和电镀设备上接线柱连接；
38.步骤六、砷化镓芯片的背板处及背面通孔处上的金属络子不断增加直至电镀完成。
39.其中需要补充的是，在本技术中步骤一中的金属粉末为金、铜或铝中的一种，步骤一中的砷化镓芯片背板为硅材质，此外需要进一步补充的是，在本技术中，步骤二中的电镀液，其内部的组分包括有三氯化金水合物、配位剂、光亮剂、络合剂、表面活性剂、针孔消除剂和去离子水，其中三氯化金水合物、配位剂、光亮剂、络合剂、表面活性剂、针孔消除剂和去离子水占总溶液比例为2:1:2.5:2.5:3:1:3，总溶液的含量为450ml-600ml。
40.需要强调的是，本技术中电镀液的成分比例参数还可以为以下数据：
41.三氯化金水合物：5g/ml；
42.配位剂：30g/ml；
43.光亮剂：5g/ml；
44.络合剂：3g/ml；
45.表面活性剂:2g/ml；
46.针孔消除剂：1g/ml；
47.去离子水：余量。
48.其中本技术中的配位剂为乙酰谷酰胺，光亮剂则是通过哌嗪、氧化砷和柠檬酸钾按照重量比例1:3-4:1-5混合制成；络合剂是通过烟酸、羟基喹啉和乙二胺二乙酸按照重量比例1:3-4:1-1.8混合制成；表面活性剂由分子量为2000-8000的聚乙二醇与琥珀酸酯钠按照重量比例1-1.8:2混合制成；针孔消除剂由羟乙基聚乙烯亚胺、聚甲基亚胺和聚乙烯亚胺按照重量比例1:3-2:1-1混合制成。
49.需要注意的是参考图1-图4可知，本技术中步骤三中的电镀设备包括防护开口盒1，防护开口盒1的内部放置有储液开口盒4，储液开口盒4外部的两端分别固定连接有卡接组件8。
50.其中卡接组件8包括通电板81，通电板81的顶端固定连接有连通接头82，其中一个通电板81内侧固定连接有电极棒5，另一个通电板81的内侧固定连接有导电金属板84，电极棒5和导电金属板84均和通电板81电性连接，需要补充的是，在本技术中，导电金属板84内
侧的顶端固定连接有连通柱83，连通柱83的一端贯穿储液开口盒4和安装有导电金属板84的通电板81相固定，导电金属板84内部的底端开设有卡接槽85，砷化镓芯片放置在卡接槽85的内部。
51.此外还需要说明的是，在本技术中导电金属板84的内壁上开设有插接孔87，插接孔87设置有多个，且等距均匀的分布在导电金属板84的内壁上，导电金属板84通过插接孔87插接有锁止架86。
52.需要补充的是，在本技术中防护开口盒1顶部的两端还开设有装配缺口7，装配缺口7起到了放置接线桩头3的作用。
53.需要强调的是，本技术通过将砷化镓芯片放置固定在电镀设备内部的槽内，并使用锁止装置插入固定，使得砷化镓芯片在电镀液电镀时，能够时刻让背板处的位置保持恒定，减少了因砷化镓芯片因摆动而导致砷化镓芯片其他部位受到电镀的影响，间接的提高了砷化镓芯片背面通孔在电镀时的均匀性和效率。
54.此外需要补充的是，在本技术中连通接头82的外部插接有接线桩头3，接线桩头3外部的顶端缠绕紧固有连通线束6，连通线束6、接线桩头3和连通接头82均为导电材质制成，为方便理解本技术将导电材质确定为铜材质。
55.此外需要进一步说明的是，在本技术中防护开口盒1的底部设置有夹持组件2，夹持组件2包括放置座21，放置座21顶部一端的两侧分别开设有滑动槽22，滑动槽22的内部横放固定有拉力弹簧23，需要补充的是，在本技术中，放置座21顶部的四周分别设置有卡接块24，其中一端两侧的卡接块24的底部固定连接有连接柱，连接柱和滑动槽22相适配，且拉力弹簧23的末端挂在连接柱的外壁上，另外两个卡接块24的底部和防护开口盒1的顶部相固定。
56.需要强调的是，本技术通过在防护开口盒1底部的放置座21内安装以拉力弹簧23为主要输出件的夹持组件2的设置，使得该装置在实行电镀操作时，防护开口盒1能够时刻保持稳定，降低了在电镀操作过程中，因操作失误而导致防护开口盒1翻转的现象，提高了电镀设备的稳定性。
57.还需要补充的是，在本技术中电极棒5的一端为该电镀装置的负极，设置有导电金属板84的一端为该电镀装置的正极，此外需要注意的是，本装置中的导电金属板84的外部电镀有金材质，由于金的电阻较小，且在一定频率下，金的稳定性要比铜好，插入的损耗要比筒小，因此在实际操作时，可以在导电金属板84外电镀想要的金属来实现不同元素的电镀。
58.尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
技术特征：
1.一种用于砷化镓芯片背面通孔的镀金方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一、在砷化镓芯片的背板处及背面通孔的内部蒸发金属；步骤二、向准备好的电镀设备内填充电镀液；步骤三、将砷化镓芯片放置在电镀设备内部的槽内，步骤四、将电镀设备卡接槽内的锁止装置插入，并调整砷化镓芯片放的背板的朝向；步骤五、将电源线和电镀设备上接线柱连接；步骤六、砷化镓芯片的背板处及背面通孔处上的金属络子不断增加直至电镀完成。2.根据权利要求1所述的一种用于砷化镓芯片背面通孔的镀金方法，其特征在于：步骤一中的金属为金、铜或铝中的一种，步骤一中的砷化镓芯片背板为硅材质。3.根据权利要求1所述的一种用于砷化镓芯片背面通孔的镀金方法，其特征在于：步骤二中的电镀液，其内部的组分包括有三氯化金水合物、配位剂、光亮剂、络合剂、表面活性剂、针孔消除剂和去离子水。4.根据权利要求3所述的一种用于砷化镓芯片背面通孔的镀金方法，其特征在于：其中三氯化金水合物、配位剂、光亮剂、络合剂、表面活性剂、针孔消除剂和去离子水占总溶液比例为2:1:2.5:2.5:3:1:3，所述总溶液的含量为450ml-600ml。5.根据权利要求1所述的一种用于砷化镓芯片背面通孔的镀金方法，其特征在于：步骤三中的电镀设备包括防护开口盒(1)，防护开口盒(1)的内部放置有储液开口盒(4)，所述储液开口盒(4)外部的两端分别固定连接有通电板(81)，通电板(81)的顶端固定连接有连通接头(82)，其中一个通电板(81)内侧固定连接有电极棒(5)，另一个通电板(81)的内侧固定连接有导电金属板(84)，所述电极棒(5)和导电金属板(84)均和通电板(81)电性连接。6.根据权利要求5所述的一种用于砷化镓芯片背面通孔的镀金方法，其特征在于：所述导电金属板(84)内侧的顶端固定连接有连通柱(83)，连通柱(83)的一端贯穿储液开口盒(4)和安装有导电金属板(84)的所述通电板(81)相固定，所述导电金属板(84)内部的底端开设有卡接槽(85)，所述砷化镓芯片放置在卡接槽(85)的内部。7.根据权利要求6所述的一种用于砷化镓芯片背面通孔的镀金方法，其特征在于：所述导电金属板(84)的内壁上开设有插接孔(87)，所述插接孔(87)设置有多个，且等距均匀的分布在所述导电金属板(84)的内壁上，所述导电金属板(84)通过插接孔(87)插接有锁止架(86)。8.根据权利要求5所述的一种用于砷化镓芯片背面通孔的镀金方法，其特征在于：所述连通接头(82)的外部插接有接线桩头(3)，接线桩头(3)外部的顶端缠绕紧固有连通线束(6)，所述连通线束(6)、接线桩头(3)和连通接头(82)均为导电材质制成。9.根据权利要求5所述的一种用于砷化镓芯片背面通孔的镀金方法，其特征在于：所述防护开口盒(1)的底部设置有夹持组件(2)，所述夹持组件(2)包括放置座(21)，放置座(21)顶部一端的两侧分别开设有滑动槽(22)，所述滑动槽(22)的内部横放固定有拉力弹簧(23)；所述放置座(21)顶部的四周分别设置有卡接块(24)，其中一端两侧的卡接块(24)的底部固定连接有连接柱，连接柱和所述滑动槽(22)相适配，且拉力弹簧(23)的末端挂在所述连接柱的外壁上，另外两个所述卡接块(24)的底部和所述防护开口盒(1)的顶部相固定。
技术总结
本发明公开了一种用于砷化镓芯片背面通孔的镀金方法，涉及芯片加工技术领域。包括以下步骤：步骤一、在砷化镓芯片的背板处及背面通孔的内部蒸发金属；步骤二、向准备好的电镀设备内填充电镀液；步骤三、将砷化镓芯片放置在电镀设备内部的槽内，步骤四、将电镀设备卡接槽内的锁止装置插入，并调整砷化镓芯片放的背板的朝向。本发明通过将砷化镓芯片放置固定在电镀设备内部的槽内，并使用锁止装置插入固定，使得砷化镓芯片在电镀液电镀时，能够时刻让背板处的位置保持恒定，减少了因砷化镓芯片因摆动而导致砷化镓芯片其他部位受到电镀的影响，间接的提高了砷化镓芯片背面通孔在电镀时的均匀性和效率。时的均匀性和效率。时的均匀性和效率。
