供电控制方法、装置及静态随机存取存储器与流程
1.本技术属于存储器技术领域，尤其涉及一种供电控制方法、装置及静态随机存取存储器。
背景技术：
2.静态随机存取存储器(static random access memory，sram)是随机存取存储器的一种，这种存储器只要保持通电，其内部存储的数据就可以恒常保持。sram在不进行数据读写操作时会进入休眠模式，为了降低sram在休眠下的功耗，可以降低休眠模式下sram中的各个存储单元的供电电压。
3.然而，为了确保sram中的各个存储单元能够正确存储数据，现有技术通常将休眠模式下各个存储单元的供电电压设置得较高，这样会导致sram在休眠模式下的功耗较高。
技术实现要素：
4.有鉴于此，本技术实施例提供了一种供电控制方法、装置及静态随机存取存储器，以解决现有的静态随机存储器在休眠模式下功耗较高的技术问题。
5.第一方面，本技术实施例提供一种供电控制方法，应用于静态随机存取存储器，所述静态随机存取存储器包括由多个存储单元组成的存储阵列；所述供电控制方法包括：
6.获取各个所述存储单元的数据保持电压值；所述数据保持电压值为所述存储单元用于正确存储数据的最低电压值；
7.将所有所述存储单元的数据保持电压值的最大值确定为所述静态随机存取存储器的休眠电压值；
8.在所述静态随机存取存储器进入休眠模式时，控制供电电路以所述休眠电压值向各个所述存储单元供电。
9.在第一方面的一种可选的实现方式中，在所述获取各个所述存储单元的数据保持电压值之前，所述供电控制方法还包括：
10.针对每个所述存储单元，确定所述存储单元用于正确存储数据0的第一最低电压值，以及确定所述存储单元用于正确存储数据1的第二最低电压值；
11.若所述第一最低电压值大于或等于所述第二最低电压值，则将所述第一最低电压值确定为所述存储单元的数据保持电压值；
12.若所述第一最低电压值小于所述第二最低电压值，则将所述第二最低电压值确定为所述存储单元的数据保持电压值。
13.在第一方面的一种可选的实现方式中，所述确定所述存储单元用于正确存储数据0的第一最低电压值，包括：
14.控制所述供电电路以预设电压值向所述存储单元供电，并向所述存储单元中写入数据0；所述预设电压值为所述静态随机存取存储器的数据读写电压值；
15.控制所述供电电路以低于所述预设电压值的测试电压值向所述存储单元供电预
设时长后，再控制所述供电电路以所述预设电压值向所述存储单元供电；
16.判断写入所述存储单元中的所述数据0是否发生错乱；
17.若所述数据0未发生错乱，则将所述测试电压值确定为第一候选电压值；
18.将多个所述第一候选电压值中的最小值确定为所述第一最低电压值。
19.在第一方面的一种可选的实现方式中，所述确定所述存储单元用于正确存储数据1的第二最低电压值，包括：
20.控制所述供电电路以预设电压值向所述存储单元供电，并向所述存储单元中写入数据1；所述预设电压值为所述静态随机存取存储器的数据读写电压值；
21.控制所述供电电路以低于所述预设电压值的测试电压值向所述存储单元供电预设时长后，再控制所述供电电路以所述预设电压值向所述存储单元供电；
22.判断写入所述存储单元中的所述数据1是否发生错乱；
23.若所述数据1未发生错乱，则将所述测试电压值确定为第二候选电压值；
24.将多个所述第二候选电压值中的最小值确定为所述第一最低电压值。
25.在第一方面的一种可选的实现方式中，所述将所有所述存储单元的数据保持电压值的最大值确定为所述静态随机存取存储器的休眠电压值，包括：
26.将预设电压值作为第一暂存器的初值；所述预设电压值为所述静态随机存取存储器的数据读写电压值；
27.遍历所有所述存储单元，针对每个所述存储单元，均执行以下操作：将所述存储单元的数据保持电压值作为第二暂存器的值；将所述第一暂存器的值与所述第二暂存器的值进行比较；若所述第一暂存器的值大于或等于所述第二暂存器的值，则不动作；若所述第一暂存器的值小于所述第二暂存器的值，则将所述第二暂存器的值作为所述第一暂存器的值；
28.在遍历完所有所述存储单元后，将所述第一暂存器的值确定为所述休眠电压值。
29.第二方面，本技术实施例提供一种供电控制装置，包括：应用于静态随机存取存储器，所述静态随机存取存储器还包括由多个存储单元组成的存储阵列和供电电路；所述供电控制装置与各个所述存储单元和所述供电电路连接；所述供电控制装置包括：
30.第一获取单元，用于获取各个所述存储单元的数据保持电压值；所述数据保持电压值为所述存储单元用于正确存储数据的最低电压值；
31.第一确定单元，用于将所有所述存储单元的数据保持电压值的最大值确定为所述静态随机存取存储器的休眠电压值；
32.控制单元，用于在所述静态随机存取存储器进入休眠模式时，控制所述供电电路以所述休眠电压值向各个所述存储单元供电。
33.在第二方面的一种可选的实现方式中，所述供电控制装置还包括：
34.第二确定单元，用于针对每个所述存储单元，确定所述存储单元用于正确存储数据0的第一最低电压值，以及确定所述存储单元用于正确存储数据1的第二最低电压值；
35.第三确定单元，用于若所述第一最低电压值大于或等于所述第二最低电压值，则将所述第一最低电压值确定为所述存储单元的数据保持电压值；
36.第四确定单元，用于若所述第一最低电压值小于所述第二最低电压值，则将所述第二最低电压值确定为所述存储单元的数据保持电压值。
37.在第二方面的一种可选的实现方式中，所述第二确定单元具体用于：
38.控制所述供电电路以预设电压值向所述存储单元供电，并向所述存储单元中写入数据0；所述预设电压值为所述静态随机存取存储器的数据读写电压值；
39.控制所述供电电路以低于所述预设电压值的测试电压值向所述存储单元供电预设时长后，再控制所述供电电路以所述预设电压值向所述存储单元供电；
40.判断写入所述存储单元中的所述数据0是否发生错乱；
41.若所述数据0未发生错乱，则将所述测试电压值确定为第一候选电压值；
42.将多个所述第一候选电压值中的最小值确定为所述第一最低电压值。
43.在第二方面的一种可选的实现方式中，所述第二确定单元具体用于：
44.控制所述供电电路以预设电压值向所述存储单元供电，并向所述存储单元中写入数据1；所述预设电压值为所述静态随机存取存储器的数据读写电压值；
45.控制所述供电电路以低于所述预设电压值的测试电压值向所述存储单元供电预设时长后，再控制所述供电电路以所述预设电压值向所述存储单元供电；
46.判断写入所述存储单元中的所述数据1是否发生错乱；
47.若所述数据1未发生错乱，则将所述测试电压值确定为第二候选电压值；
48.将多个所述第二候选电压值中的最小值确定为所述第一最低电压值。
49.第三方面，本技术实施例提供一种静态随机存取存储器，所述静态随机存取存储器包括由多个存储单元组成的存储阵列、供电电路以及如上述第二贩卖或第二方面的任一可选方式所述的供电控制装置；所述供电控制装置与各个所述存储单元和所述供电电路连接。
50.实施本技术实施例提供的供电控制方法、装置及静态随机存取存储器具有以下有益效果：
51.本技术实施例提供的供电控制方法，通过获取各个存储单元的数据保持电压值，将所有存储单元的数据保持电压值确定为静态随机存取存储器的休眠电压值，并在静态随机存取存储器进入休眠状态时，控制供电电路以该休眠电压值向各个存储单元供电。由于该数据保持电压值为存储单元用于正确存储数据的最低电压值，因此，控制供电电路以所有存储单元中最大的数据保持电压值(即休眠电压值)向所有存储单元供电，可以在确保所有存储单元均能够正确存储数据的情况下，降低静态随机存取存储器休眠时的功耗。
附图说明
52.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
53.图1为本技术实施例提供的一种静态随机存取存储器的结构示意图；
54.图2为本技术实施例提供的一种静态随机存取存储器中的存储单元的结构示意图；
55.图3为本技术实施例提供的一种静态随机存取存储器中的供电控制电路的结构示意图；
56.图4为本技术实施例提供的一种供电控制方法的示意性流程图；
57.图5为本技术另一实施例提供的一种供电控制方法的示意性流程图；
58.图6为本技术实施例提供的一种供电控制装置的结构示意图。
具体实施方式
59.需要说明的是，本技术实施例使用的术语仅用于对本技术的具体实施例进行解释，而非旨在限定本技术。在本技术实施例的描述中，除非另有说明，“多个”是指两个或多于两个，“至少一个”、“一个或多个”是指一个、两个或两个以上。术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。
60.在本说明书中描述的参考“一个实施例”或“一些实施例”等意味着在本技术的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。由此，在本说明书中的不同之处出现的语句“在一个实施例中”、“在一些实施例中”、“在其他一些实施例中”、“在另外一些实施例中”等不是必然都参考相同的实施例，而是意味着“一个或多个但不是所有的实施例”，除非是以其他方式另外特别强调。术语“包括”、“包含”、“具有”及它们的变形都意味着“包括但不限于”，除非是以其他方式另外特别强调。
61.本技术实施例首先提供一种静态随机存取存储器(static random access memory，sram)。请参阅图1，图1为本技术实施例提供的一种静态随机存取存储器的结构示意图。如图1所示，该sram可以包括由多个存储单元111组成的存储阵列11、供电控制装置12以及供电电路13。
62.其中，所有存储单元111的电源端均连接供电电路13的输出端，供电电路13的输入端可以用于连接外部电源(例如，直流电源)，供电控制装置12与供电控制电路13和各个存储单元111连接(未图示)。供电电路13用于为各个存储单元111供电，供电控制单元12用于对供电电路13进行供电控制。
63.本技术实施例中，存储阵列11具体可以包括n行
×
m列存储单元111。在具体应用中，所有存储单元111的行选择端可以共接于行译码器(未图示)，所有存储单元111的列选择端可以共接于列译码器(未图示)。其中，n和m均为大于或等于1的整数，n和m的具体取值可以根据实际需求设置。
64.示例性的，存储单元111的结构可以为六管型(即包括六个晶体管)、八管型(即包括八个晶体管)或十管型(即包括八个晶体管)等，本技术实施例对存储单元111的结构不做特别限定。以存储单元111的结构为六管型为例，如图2所示，存储单元111可以包括第一晶体管n1、第二晶体管n2、第三晶体管n3、第四晶体管n4、第五晶体管p1及第六晶体管p2。其中，第一晶体管n1和第二晶体管n2为下拉管，第五晶体管p1和第六晶体管p2为上拉管，第三晶体管n3和第四晶体管n4为存取管(也称传输管)。第五晶体管p1的第一导通端和第六晶体管p2的第一导通端共接作为存储单元的电源端a。
65.在一种可能的实现方式中，供电电路13可以为电压转换电路，例如，供电电路13可以为直流-直流(direct current-direct current，dc-dc)转换电路。
66.在另一种可能的实现方式中，如图3所示，供电电路13可以包括分压单元131和输出选择单元132。其中，分压单元131可以包括串联在供电电路13的输入端b与地之间的n个
分压电阻(即r1～rn)，每相邻两个分压电阻的共接端以及供电电路13的输入端b均与输出选择单元132连接。需要说明的是，分压单元131包括的分压电阻的数量以及各个分压电阻的阻值可以根据存储单元111所需的数据读写电压和/或休眠电压确定，此处对其不做特别限定。
67.分压单元131用于向输出选择单元132输出多路电压值不同的电压信号，输出选择单元132用于基于来自供电控制装置12的选择指令，从该多路电压信号中选择一路电压信号输出至存储单元111。
68.在具体应用中，输出选择单元132可以为多路选择器。
69.需要说明的是，供电控制装置12的具体结构和功能可以参考后续的供电控制装置实施例中的相关描述，此处不再赘述。
70.基于上述实施例提供的sram，本技术实施例还提供一种应用于该sram的供电控制方法，用于实现对该sram在休眠模式下的供电控制。
71.本技术实施例提供的一种供电控制方法，执行主体可以为图1所示的sram中的供电控制装置12。在具体应用中，可以通过对供电控制装置12配置目标脚本文件，由该目标脚本文件描述本技术实施例提供的供电控制方法，令供电控制装置12在sram进入休眠模式后执行该目标脚本文件，进而执行本技术实施例提供的供电控制方法中的各个步骤。
72.请参阅图4，图4为本技术实施例提供的一种供电控制方法的示意性流程图。如图4所示，该供电控制方法可以包括s41～s43，详述如下：
73.s41：获取各个存储单元的数据保持电压值。
74.本技术实施例中，数据保持电压值指能够确保存储单元中所存储的数据不会发生错乱的最低电压值，也即用于确保存储单元用于正确存储数据的最低电压值。
75.其中，各个存储单元的数据保持电压值可以是预先测试得到的，供电控制装置可以将预先测试得到的各个存储单元的数据保持电压值存储在预设存储空间。示例性的，预设存储空间可以是供电控制装置中的存储空间。基于此，供电控制装置可以从预设存储空间中获取各个存储单元的数据保持电压。
76.在一种可能的实现方式中，各个存储单元的数据保持电压值可以是采用外部测试机台测试得到的。具体地，可以通过向外部测试机台配置电压测试程序，由该电压测试程序描述存储单元的数据保持电压值的测试流程，外部测试机台通过执行该电压测试程序可以得到各个存储单元的数据保持电压值。
77.在另一种可能的实现方式中，各个存储单元的数据保持电压值可以是由供电控制装置测试得到的。例如，可以预先在供电控制装置中配置电压测试程序，该电压测试程序描述存储单元的数据保持电压值的测试流程，供电控制装置通过执行该电压测试程序可以得到各个存储单元的数据保持电压值。
78.在具体应用中，供电控制装置可以在获取各个存储单元的数据保持电压值之前，执行上述电压测试程序，并将得到的各个存储单元的数据保持电压值存储在预设存储空间中。
79.s42：将所有存储单元的数据保持电压值的最大值确定为静态随机存取存储器的休眠电压值。
80.本技术实施例中，供电控制装置获取到各个存储单元的数据保持电压值后，可以
将所有存储单元的数据保持电压值进行两两比较，以从所有存储单元的数据保持电压值中确定出最大值。由于该最大值可以确保所有存储单元均能正确存储数据，因此供电控制装置可以将该最大值确定为sram的休眠电压值。
81.在本技术的一个具体实施例中，s42具体可以包括以下步骤：
82.步骤a：将预设电压值作为第一暂存器的初值。
83.其中，预设电压值可以为sram的数据读写电压值，sram的数据读写电压值指sram完成正常的数据读写操作所需的电压值。
84.步骤b：遍历所有存储单元，针对每个存储单元，均执行以下操作：
85.将存储单元的数据保持电压值作为第二暂存器的值；
86.将第一暂存器的值与第二暂存器的值进行比较；
87.若第一暂存器的值大于或等于第二暂存器的值，则不动作；若第一暂存器的值小于第二暂存器的值，则将第二暂存器的值作为第一暂存器的值。
88.步骤c：在遍历完所有存储单元后，将第一暂存器的值确定为sram的休眠电压值。
89.本实施例中，在遍历所有存储单元时，可以从第1行第1列存储单元开始，从左至右，从上之下，依次遍历每个存储单元。当然，还可以采用其他方式遍历所有存储单元，本实施例对遍历所有存储单元的方式不做特别限定。
90.在具体应用中，供电控制装置确定出sram的休眠电压值后，可以将该休眠电压值存储在预设存储空间中，以便在需要时使用。
91.s43：在静态随机存取存储器进入休眠模式时，控制供电电路以休眠电压值向各个存储单元供电。
92.在本技术的一个实施例中，供电控制装置确定出sram的休眠电压值后，可以在sram进入休眠模式时，控制供电电路向各个存储单元输出电压值为休眠电压值的电压信号，即控制供电电路以休眠电压值向各个存储单元供电。
93.在本技术的另一个实施例中，当供电电路的结构如图3所示时，若分压单元131输出的多路电压信号中不存在电压值等于上述休眠电压值的电压信号，则供电控制装置可以控制输出选择单元132从多路电压信号中选择一路电压值大于上述休眠电压值且与上述休眠电压值最接近的电路信号，输出至存储单元。
94.以上可以看出，本实施例提供的供电控制方法，通过获取各个存储单元的数据保持电压值，将所有存储单元的数据保持电压值确定为sram的休眠电压值，并在sram进入休眠状态时，控制供电电路以该休眠电压值向各个存储单元供电。由于该数据保持电压值为存储单元用于正确存储数据的最低电压值，因此，控制供电电路以所有存储单元中最大的数据保持电压值(即休眠电压值)向所有存储单元供电，可以在确保所有存储单元均能够正确存储数据的情况下，降低sram休眠时的功耗。
95.请参阅图5，图5为本技术另一实施例提供的一种供电控制方法的示意性流程图。如图5所示，本实施例与图4对应的实施例的区别在于，本实施例中的供电控制方法在s41之前，还可以包括s51～s53，详述如下：
96.s51：针对每个存储单元，确定该存储单元用于正确存储数据0的第一最低电压值，以及确定该存储单元用于正确存储数据1的第二最低电压值。
97.在一种可能的实现方式中，s51中确定存储单元用于正确存储数据0的第一最低电
压值的步骤具体可以包括：
98.控制供电电路以预设电压值向存储单元供电，并向存储单元中写入数据0。
99.控制供电电路以低于预设电压值的测试电压值向存储单元供电预设时长后，再控制供电电路以预设电压值向存储单元供电。
100.判断写入存储单元中的数据0是否发生错乱。
101.若数据0未发生错乱，则将测试电压值确定为第一候选电压值。
102.将多个第一候选电压值中的最小值确定为第一最低电压值。
103.该实现方式中，供电控制装置向存储单元写入数据0后，可以控制供电电路以多个低于预设电压值的测试电压值向存储单元供电。具体地，供电电路每以一个低于预设电压值的测试电压值向存储单元供电预设时长后，重新以预设电压值向存储单元供电，之后，供电控制装置判断写入存储单元中的数据0是否发生错乱(判断数据0是否被正确存储)，若数据0未发生错乱，则供电控制装置将该测试电压值确定为第一候选电压值；之后，供电控制装置控制供电电路以一个更低的测试电压值向存储单元供电预设时长，重复上述过程，直至存储单元中存储的数据0发生错乱为止。如此，可以得到多个第一候选电压值。供电控制装置可以将多个第一候选电压值中的最小值确定为第一最低电压值。
104.其中，预设时长可以根据实际需求设置，此处对其不做特别限定。
105.在一种可能的实现方式中，s51中确定该存储单元用于正确存储数据1的第二最低电压值的步骤具体可以包括：
106.控制供电电路以预设电压值向存储单元供电，并向存储单元中写入数据1。
107.控制供电电路以低于预设电压值的测试电压值向存储单元供电预设时长后，再控制供电电路以预设电压值向存储单元供电；
108.判断写入存储单元中的数据1是否发生错乱；
109.若数据1未发生错乱，则将测试电压值确定为第二候选电压值；
110.将多个第二候选电压值中的最小值确定为第一最低电压值。
111.该实现方式中，供电控制装置向存储单元写入数据1后，可以控制供电电路以多个低于预设电压值的测试电压值向存储单元供电。具体地，供电电路每以一个低于预设电压值的测试电压值向存储单元供电预设时长后，重新以预设电压值向存储单元供电，之后，供电控制装置判断写入存储单元中的数据1是否发生错乱(判断数据1是否被正确存储)，若数据1未发生错乱，则供电控制装置将该测试电压值确定为第二候选电压值；之后，供电控制装置控制供电电路以一个更低的测试电压值向存储单元供电预设时长，重复上述过程，直至存储单元中存储的数据1发生错乱为止。如此，可以得到多个第二候选电压值。供电控制装置可以将多个第二候选电压值中的最小值确定为第一最低电压值。
112.s52：若第一最低电压值大于或等于第二最低电压值，则将第一最低电压值确定为存储单元的数据保持电压值。
113.s53：若第一最低电压值小于第二最低电压值，则将第二最低电压值确定为存储单元的数据保持电压值。
114.本实施例中，为了确保各个存储单元能够正确存储数据0和数据1。供电控制装置确定出每个存储单元的第一最低电压值和第二最低电压值后，将每个存储单元的第一最低电压值与第二最低电压值进行比较，并将两者中较大的值确定为存储单元的数据保持电压
值。
115.以上可以看出，本实施例提供的供电控制方法，通过多次测试的方式可以寻到存储单元用于正确存储数据0的第一最低电压值和用于正确存储数据1的第二最低电压值，将第一最低电压值和第二最低电压值中的较大值作为存储单元的数据保持电压值，从而可以准确得到存储单元用于正确存储数据的数据保持电压值。
116.可以理解的是，上述实施例中各步骤的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本技术实施例的实施过程构成任何限定。
117.基于上述实施例所提供的供电控制方法，本发明实施例进一步给出实现上述方法实施例的供电控制装置的实施例。请参阅图6，为本技术实施例提供的一种供电控制装置的结构示意图。为了便于说明，仅示出了与本实施例相关的部分。如图6所示，供电控制装置60可以包括：第一获取单元61、第一确定单元62及控制单元63。其中：
118.第一获取单元61用于获取各个所述存储单元的数据保持电压值；所述数据保持电压值为所述存储单元用于正确存储数据的最低电压值。
119.第一确定单元62用于将所有所述存储单元的数据保持电压值的最大值确定为所述静态随机存取存储器的休眠电压值。
120.控制单元63用于在所述静态随机存取存储器进入休眠模式时，控制供电电路以所述休眠电压值向各个所述存储单元供电。
121.可选的，供电控制装置还包括：第二确定单元、第三确定单元及第四确定单元。其中：
122.第二确定单元用于针对每个所述存储单元，确定所述存储单元用于正确存储数据0的第一最低电压值，以及确定所述存储单元用于正确存储数据1的第二最低电压值。
123.第三确定单元用于若所述第一最低电压值大于或等于所述第二最低电压值，则将所述第一最低电压值确定为所述存储单元的数据保持电压值。
124.第四确定单元用于若所述第一最低电压值小于所述第二最低电压值，则将所述第二最低电压值确定为所述存储单元的数据保持电压值。
125.可选的，第二确定单元具体用于：
126.控制所述供电电路以预设电压值向所述存储单元供电，并向所述存储单元中写入数据0；所述预设电压值为所述静态随机存取存储器的数据读写电压值；
127.控制所述供电电路以低于所述预设电压值的测试电压值向所述存储单元供电预设时长后，再控制所述供电电路以所述预设电压值向所述存储单元供电；
128.判断写入所述存储单元中的所述数据0是否发生错乱；
129.若所述数据0未发生错乱，则将所述测试电压值确定为第一候选电压值；
130.将多个所述第一候选电压值中的最小值确定为所述第一最低电压值。
131.可选的，第二确定单元具体用于：
132.控制所述供电电路以预设电压值向所述存储单元供电，并向所述存储单元中写入数据1；所述预设电压值为所述静态随机存取存储器的数据读写电压值；
133.控制所述供电电路以低于所述预设电压值的测试电压值向所述存储单元供电预设时长后，再控制所述供电电路以所述预设电压值向所述存储单元供电；
134.判断写入所述存储单元中的所述数据1是否发生错乱；
135.若所述数据1未发生错乱，则将所述测试电压值确定为第二候选电压值；
136.将多个所述第二候选电压值中的最小值确定为所述第一最低电压值。
137.可选的，第一确定单元62具体包括：赋值单元、数值更新单元及休眠电压确定单元。其中：
138.赋值单元用于将预设电压值作为第一暂存器的初值；所述预设电压值为所述静态随机存取存储器的数据读写电压值。
139.数值更新单元用于遍历所有所述存储单元，针对每个所述存储单元，均执行以下操作：将所述存储单元的数据保持电压值作为第二暂存器的值；将所述第一暂存器的值与所述第二暂存器的值进行比较；若所述第一暂存器的值大于或等于所述第二暂存器的值，则不动作；若所述第一暂存器的值小于所述第二暂存器的值，则将所述第二暂存器的值作为所述第一暂存器的值。
140.休眠电压确定单元用于在遍历完所有所述存储单元后，将所述第一暂存器的值确定为所述休眠电压值。
141.需要说明的是，上述单元之间的信息交互、执行过程等内容，由于与本技术方法实施例基于同一构思，其具体功能及带来的技术效果，具体可参照方法实施例部分，此处不再赘述。
142.所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为了描述的方便和简洁，仅以上述各功能单元的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能单元完成，即将供电控制装置的内部结构划分成不同的功能单元，以完成以上描述的全部或者部分功能。实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中，上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。另外，各功能单元的具体名称也只是为了便于相互区分，并不用于限制本技术的保护范围。上述系统中单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
143.在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述或记载的部分，可以参照其它实施例的相关描述。
144.本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本技术的范围。
145.以上所述实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本技术的保护范围之内。
技术特征：
1.一种供电控制方法，其特征在于，应用于静态随机存取存储器，所述静态随机存取存储器包括由多个存储单元组成的存储阵列；所述供电控制方法包括：获取各个所述存储单元的数据保持电压值；所述数据保持电压值为所述存储单元用于正确存储数据的最低电压值；将所有所述存储单元的数据保持电压值的最大值确定为所述静态随机存取存储器的休眠电压值；在所述静态随机存取存储器进入休眠模式时，控制供电电路以所述休眠电压值向各个所述存储单元供电。2.根据权利要求1所述的供电控制方法，其特征在于，在所述获取各个所述存储单元的数据保持电压值之前，所述供电控制方法还包括：针对每个所述存储单元，确定所述存储单元用于正确存储数据0的第一最低电压值，以及确定所述存储单元用于正确存储数据1的第二最低电压值；若所述第一最低电压值大于或等于所述第二最低电压值，则将所述第一最低电压值确定为所述存储单元的数据保持电压值；若所述第一最低电压值小于所述第二最低电压值，则将所述第二最低电压值确定为所述存储单元的数据保持电压值。3.根据权利要求2所述的供电控制方法，其特征在于，所述确定所述存储单元用于正确存储数据0的第一最低电压值，包括：控制所述供电电路以预设电压值向所述存储单元供电，并向所述存储单元中写入数据0；所述预设电压值为所述静态随机存取存储器的数据读写电压值；控制所述供电电路以低于所述预设电压值的测试电压值向所述存储单元供电预设时长后，再控制所述供电电路以所述预设电压值向所述存储单元供电；判断写入所述存储单元中的所述数据0是否发生错乱；若所述数据0未发生错乱，则将所述测试电压值确定为第一候选电压值；将多个所述第一候选电压值中的最小值确定为所述第一最低电压值。4.根据权利要求2所述的供电控制方法，其特征在于，所述确定所述存储单元用于正确存储数据1的第二最低电压值，包括：控制所述供电电路以预设电压值向所述存储单元供电，并向所述存储单元中写入数据1；所述预设电压值为所述静态随机存取存储器的数据读写电压值；控制所述供电电路以低于所述预设电压值的测试电压值向所述存储单元供电预设时长后，再控制所述供电电路以所述预设电压值向所述存储单元供电；判断写入所述存储单元中的所述数据1是否发生错乱；若所述数据1未发生错乱，则将所述测试电压值确定为第二候选电压值；将多个所述第二候选电压值中的最小值确定为所述第一最低电压值。5.根据权利要求1至4任一项所述的供电控制方法，其特征在于，所述将所有所述存储单元的数据保持电压值的最大值确定为所述静态随机存取存储器的休眠电压值，包括：将预设电压值作为第一暂存器的初值；所述预设电压值为所述静态随机存取存储器的数据读写电压值；遍历所有所述存储单元，针对每个所述存储单元，均执行以下操作：将所述存储单元的
数据保持电压值作为第二暂存器的值；将所述第一暂存器的值与所述第二暂存器的值进行比较；若所述第一暂存器的值大于或等于所述第二暂存器的值，则不动作；若所述第一暂存器的值小于所述第二暂存器的值，则将所述第二暂存器的值作为所述第一暂存器的值；在遍历完所有所述存储单元后，将所述第一暂存器的值确定为所述休眠电压值。6.一种供电控制装置，其特征在于，应用于静态随机存取存储器，所述静态随机存取存储器还包括由多个存储单元组成的存储阵列和供电电路；所述供电控制装置与各个所述存储单元和所述供电电路连接；所述供电控制装置包括：第一获取单元，用于获取各个所述存储单元的数据保持电压值；所述数据保持电压值为所述存储单元用于正确存储数据的最低电压值；第一确定单元，用于将所有所述存储单元的数据保持电压值的最大值确定为所述静态随机存取存储器的休眠电压值；控制单元，用于在所述静态随机存取存储器进入休眠模式时，控制所述供电电路以所述休眠电压值向各个所述存储单元供电。7.根据权利要求6所述的供电控制装置，其特征在于，所述供电控制装置还包括：第二确定单元，用于针对每个所述存储单元，确定所述存储单元用于正确存储数据0的第一最低电压值，以及确定所述存储单元用于正确存储数据1的第二最低电压值；第三确定单元，用于若所述第一最低电压值大于或等于所述第二最低电压值，则将所述第一最低电压值确定为所述存储单元的数据保持电压值；第四确定单元，用于若所述第一最低电压值小于所述第二最低电压值，则将所述第二最低电压值确定为所述存储单元的数据保持电压值。8.根据权利要求7所述的供电控制装置，其特征在于，所述第二确定单元具体用于：控制所述供电电路以预设电压值向所述存储单元供电，并向所述存储单元中写入数据0；所述预设电压值为所述静态随机存取存储器的数据读写电压值；控制所述供电电路以低于所述预设电压值的测试电压值向所述存储单元供电预设时长后，再控制所述供电电路以所述预设电压值向所述存储单元供电；判断写入所述存储单元中的所述数据0是否发生错乱；若所述数据0未发生错乱，则将所述测试电压值确定为第一候选电压值；将多个所述第一候选电压值中的最小值确定为所述第一最低电压值。9.根据权利要求7所述的供电控制装置，其特征在于，所述第二确定单元具体用于：控制所述供电电路以预设电压值向所述存储单元供电，并向所述存储单元中写入数据1；所述预设电压值为所述静态随机存取存储器的数据读写电压值；控制所述供电电路以低于所述预设电压值的测试电压值向所述存储单元供电预设时长后，再控制所述供电电路以所述预设电压值向所述存储单元供电；判断写入所述存储单元中的所述数据1是否发生错乱；若所述数据1未发生错乱，则将所述测试电压值确定为第二候选电压值；将多个所述第二候选电压值中的最小值确定为所述第一最低电压值。10.一种静态随机存取存储器，所述静态随机存取存储器包括由多个存储单元组成的存储阵列、供电电路以及如权利要求6-9任一项所述的供电控制装置；所述供电控制装置与各个所述存储单元和所述供电电路连接。
技术总结
本申请适用于存储器技术领域，提供了一种供电控制方法、装置及静态随机存取存储器，其中，供电控制方法应用于静态随机存取存储器，静态随机存取存储器包括由多个存储单元组成的存储阵列；供电控制方法包括：确定各个存储单元的数据保持电压值；数据保持电压值为存储单元用于正确存储数据的最低电压值；将所有存储单元的数据保持电压值的最大值确定为静态随机存取存储器的休眠电压值；在静态随机存取存储器进入休眠模式时，控制供电电路以休眠电压值向各个存储单元供电，从而可以在确保所有存储单元均能够正确存储数据的情况下，降低静态随机存取存储器休眠时的功耗。态随机存取存储器休眠时的功耗。态随机存取存储器休眠时的功耗。
