显示基板及其制备方法与流程
1.本公开属于显示技术领域，具体涉及一种显示基板及其制备方法。
背景技术：
2.随着集成电路技术的发展,摩尔定律终结的声音愈来愈强，平面集成电路面临严峻挑战，2.5d集成技术的出现将集成空间扩展到了第三维度，显著提升了空间的利用率。与传统的平面集成技术相比，2.5d集成技术通过垂直互连结构传输信号，具有集成度高、功耗低、设计灵活、易于实现异质集成等优势。
技术实现要素：
3.本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种显示基板及其制备方法。
4.本公开实施例提供一种显示基板，其包括：
5.衬底基板，具有沿其厚度方向贯穿的连接过孔；所述衬底基板包括沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面；
6.像素驱动电路，设置在所述第一表面；
7.信号走线，设置在所述第二表面；
8.连接结构，设置在所述连接过孔内，且所述连接结构将所述信号走线与所述像素驱动电路电连接；其中，所述连接过孔中部分被所述连接结构填充。
9.其中，所述连接结构包括设置在所述连接过孔侧壁上的第一子结构，以及与所述第一子结构连接的第二子结构，且所述第二子结构的外轮廓与所述第一子结构相贴合。
10.其中，所述第二子结构包括沿其厚度方向相对设置的第三表面和第四表面；所述第三表面与所述第一表面平齐，所述第四表面所在平面与所述第二表面所在平面之间具有一定的间距；或者，所述第四表面与所述第二表面平齐，所述第三表面所在平面与所述第一表面所在平面之间具有一定的间距；亦或者，所述第三表面所在平面与所述第一表面所在平面之间具有一定的间距，所述第四表面所在平面与所述第二表面所在平面之间具有一定的间距。
11.其中，所述第二子结构包括第一部分和第二部分；所述第一部分的外轮廓和所述第二部分外轮廓均与所述第一子结构相贴合，且所述第一部分和所述第二部分之间具有一定的间距。
12.其中，所述第一部分背离所述第二部分的表面与所述第一表面平齐；所述第二部分背离所述第一部分的表面与所述第二表面平齐。
13.其中，所述第二子结构包括沿其厚度方向相对设置的第三表面和第四表面；所述第三表面为弧面，且朝向所述第四表面凸出；和/或，所述第四表面为弧面，且朝向所述第三表面凸出。
14.其中，所述第二子结构包括沿其厚度方向相对设置的第三表面和第四表面；所述
第三表面为折面，且朝向所述第四表面凸出；和/或，所述第四表面为折面，且朝向所述第三表面凸出。
15.其中，所述连接结构设置在所述连接过孔内限定出容置空间；在所述容置空间中填充有填充结构。
16.其中，在所述连接过孔的侧壁上覆盖有第一保护层，所述第一保护层位于所述连接过孔侧壁和所述连接结构之间。
17.其中，在所述第二表面上还设置有第一连接焊盘，所述信号走线通过第一连接焊盘与所述连接结构电连接。
18.本公开实施例一种显示基板的制备方法，其包括：
19.提供一衬底基板，所述衬底基板具有沿其厚度方向贯穿的连接过孔；所述衬底基板包括沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面；
20.在所述衬底基板的连接过孔内形成所述连接结构，在所述衬底基板的第一表面形成像素驱动电路，在所述衬底基板的第二表面形成信号走线，所述连接结构将所述信号走线与所述像素驱动电路电连接；其中，所述连接结构未填充满所述连接过孔。
21.其中，所述连接结构包括设置在所述连接过孔侧壁上的第一子结构，以及与所述第一子结构连接的第二子结构；形成所述连接结构包括：
22.在所述衬底基板的所述第一表面、所述第二表面，以及所述连接过孔侧壁上形成第一导电薄膜，作为种子层，并依次进行电镀、构图工艺，形成所述连接结构；其中，位于所述连接过孔侧壁上的种子层作为所述第一子结构，位于所述连接内，并与所述第一子结构连接的结构作为所述第二子结构。
23.其中，所述第二子结构包括沿其厚度方向相对设置的第三表面和第四表面；所述第三表面与所述第一表面平齐，所述第四表面所在平面与所述第二表面所在平面之间具有一定的间距；或者，所述第四表面与所述第二表面平齐，所述第三表面所在平面与所述第一表面所在平面之间具有一定的间距；亦或者，所述第三表面所在平面与所述第一表面所在平面之间具有一定的间距，所述第四表面所在平面与所述第二表面所在平面之间具有一定的间距。
24.其中，所述第二子结构包括第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分之间具有一定的间距。
25.其中，所述第一部分背离所述第二部分的表面与所述第一表面平齐；所述第二部分背离所述第一部分的表面与所述第二表面平齐。
26.其中，所述第二子结构包括沿其厚度方向相对设置的第三表面和第四表面；所述第三表面为弧面，且朝向所述第四表面凸出；和/或，所述第四表面为弧面，且朝向所述第三表面凸出。
27.其中，所述第二子结构包括沿其厚度方向相对设置的第三表面和第四表面；所述第三表面为折面，且朝向所述第四表面凸出；和/或，所述第四表面为折面，且朝向所述第三表面凸出。
28.其中，所述制备方法还包括：在所述连接结构形成在所述连接过孔内所限定出的容置空间内填充填充结构。
29.其中，在形成所述连接过孔的步骤之前还包括至少在所述连接过孔的侧壁上形成
第一保护层。
30.其中，所述制备方法还包括：在所述第二表面形成第一连接焊盘，所述信号走线通过第一连接焊盘与所述连接结构电连接。
附图说明
31.图1为本公开实施例的显示基板的示意图。
32.图2为公开实施例的第一种示例的步骤s11所形成的中间产品的示意图。
33.图3为公开实施例的第一种示例的步骤s12所形成的中间产品的示意图。
34.图4为公开实施例的第一种示例的步骤s13所形成的中间产品的示意图。
35.图5为公开实施例的第一种示例的步骤s14所形成的中间产品的示意图。
36.图6为公开实施例的第一种示例的步骤s15所形成的中间产品的示意图。
37.图7为公开实施例的第一种示例的步骤s16所形成的中间产品的示意图。
38.图8为公开实施例的第一种示例的步骤s17所形成的中间产品的示意图。
39.图9为本公开实施例的第二种示例的显示基板的局部示意图。
40.图10为本公开实施例的第三种示例的显示基板的局部示意图。
41.图11为本公开实施例的第四种示例的显示基板的局部示意图。
42.图12为本公开实施例的第五种示例的显示基板的局部示意图。
43.图13为本公开实施例的第六种示例的显示基板的局部示意图。
具体实施方式
44.为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
45.除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
46.本公开实施例提供一种显示基板，该显示基板包括衬底基板10、像素驱动电路、信号走线21和连接结构23。其中，衬底基板10具有沿其厚度方向贯穿的连接过孔11，该衬底基板10包括沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面。像素驱动电路设置在衬底基板10的第一表面，信号走线21设置在衬底基板10的第二表面，连接结构23设置在连接过孔11内，信号走线21通过连接结构23为像素驱动电路提供驱动信号，也即信号走线21通过连接结构23与像素驱动电路电连接。特别的是，在本公开实施例，连接过孔11中仅部分被连接结构23填充，也即连接结构23并未将连接过孔11填充满，从而可以缓解连接过孔11的侧壁毛刺，以及衬底基板10与连接结构23由于材料不同，热膨胀系数不匹配而引起热应力影响，从而提
高制备形成的显示基板的良率和信赖性水平。
47.需要说明的是，连接结构23填充部分连接过孔11，需要保证连接结构23的外轮廓与连接过孔11的侧壁相抵顶。当连接结构23为一体式的结构时，连接结构为实体结构；当连接结构23为分体式结构(也即包括多个组成部分)时，连接结构23的每一部分均为实体结构，且每一部分的外轮廓与连接过孔11的侧壁相抵顶。
48.在一些示例中，本公开实施例中的显示基板可以应用于液晶显示面板中，也可以应用于有机电致发光二极管显示面板中，还可以应用于多分区布光独立控制发光二极管背光源中。
49.进一步的，当显示基板应用于液晶显示面板中时，显示基板不仅包括上述结构还可以包括设置在衬底基板10的第一表面上的栅线和数据线，栅线和数据线交叉设置限定出多个像素单元，每个像素单元中包括像素驱动电路和像素电极，该像素驱动电路中包括薄膜晶体管，薄膜晶体管的栅极连接栅线，薄膜晶体管的源极连接数据线，薄膜晶体管的漏极连接像素电极。例如：当显示面板的电场模式为横向电场时，每个像素单元中还可以设置公共电极，通过给像素电极和公共电极加载电压，以形成电场驱动显示面板中的液晶分子偏转，而实现每个像素单元相应灰阶的显示。
50.当显示基板应用于有机电致发光二极管显示面板中时，显示基板不仅包括上述结构还可以包括设置在衬底基板10的第一表面上的栅线和数据线，栅线和数据线交叉设置限定出多个像素单元，每个像素单元中包括像素驱动电路和与像素驱动电路电连接的有机电致发光二极管。像素驱动电路可以采用典型的2t1c(2个薄膜晶体管和1个存储电容)、7t1c(7个薄膜晶体管和1个存储电容)等像素驱动电路，每个像素驱动电路连接与之对应的栅线和数据线，通过栅线上所写入的开关电压来控制像素驱动电路的工作状态，通过数据线上加载的数据电压的大小，控制有机电致发光二极管，从而实现不同灰阶的显示。
51.当应用于多分区布光独立控制发光二极管背光源时，显示基板不仅包括上述结构还可以包括设置在衬底基板10的第一表面上的栅线和数据线，栅线和数据线交叉设置限定出多个像素单元，每个像素单元中包括像素驱动电路和与像素驱动电路电连接的多分区布光独立控制发光二极管。像素驱动电路包括薄膜晶体管，薄膜晶体管的栅极连接栅线，薄膜晶体管的源极连接数据线，薄膜晶体管的漏极连接多分区布光独立控制发光二极管的阳极。通过栅线上所写入的开关电压来控制薄膜晶体管的工作状态，通过数据线上加载的数据电压的大小，控制多分区布光独立控制发光二极管是否被点亮，从而实现显示面板的分区控光。
52.在本公开实施例中，显示基板并不局限于上述三种，以上仅为示例性的说明，并不构成对本公开实施例保护范围的限制。另外，图1仅以显示基板为多分区布光独立控制发光二极管的显示基板为例。其中，图1中以像素驱动电路中的薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管管为例，在薄膜晶体管的有源层和栅极之间设置有栅极绝缘层60，在薄膜晶体管的栅极所在层还设置有第一信号线102，在薄膜晶体管的源极和漏极所在层还设置第二信号线103，第一信号线102和第二信号线103通过贯穿栅极绝缘层60的过孔电连接，且第一信号线与连接结构23电连接。其中第一信号线和第二信号线电连接用于将信号走线21输入的控制信号传输给像素驱动电路。继续参照图1，在薄膜晶体管的源极和漏极所在层设置有第一层间绝缘层，在第一层间绝缘层70上设置有第一电源端vdd、第二电源端vss和转接电极101；第一
电源端vdd通过贯穿第一层间绝缘层70的过孔与薄膜晶体管的源极连接，转接电极101通过贯穿第一层间绝缘层70的过孔与薄膜晶体管的漏极连接。在第一电源端vdd、第二电源端vss和转接电极101依次设置第二层间绝缘层80和第三层间绝缘层90，发光器件100的阳极与通过贯穿第二层间绝缘层80和第三层间绝缘层90的过孔与转接电极101电连接，发光器件100的阴极过贯穿第二层间绝缘层80和第三层间绝缘层90的过孔与第二电源端vss电连接。
53.在一些示例中，连接结构23可以采用电镀工艺形成，以连接结构23的材料为金属铜为例。在连接过孔11的侧壁上形成第一导电薄膜20作为种子层，第一导电薄膜20的材料为铜，之后通过将衬底基板10置于含有铜离子的电镀液中，电镀工艺在连接过孔11内填铜并加厚表面铜，形成连接结构23。可以看出的是，位于连接过孔11内的连接结构23包括两部分，一部分为设置在连接过孔11侧壁上的第一子结构231，也即种子层，另一部分结构为通过电镀工艺在种子层上长厚的结构，也即第二子结构232，由于是采用电镀工艺形成的，第一子结构231和第二子结构232连接为一体结构。
54.在一些示例中，在连接结构23的第一子结构231和连接过孔11的侧壁之间设置有第一保护层30，用以保护连接过孔11的侧壁。当然第一保护层30还覆盖衬底基板10的第一表面和第二表面，从而避免在后续在衬底基板10的第一表面和第二表面上形成电器元件时对衬底基板10的第一表面和第二表面造成损伤。
55.在本公开实施例中以电镀的方式形成连接结构23为例，结合下述具体示例对本公开实施例显示基板进行具体说明。
56.第一种示例：如图1所示，显示基板中的连接结构23包括第一子结构231和第二子结构232。其中，第一子结构231设置在衬底基板10的连接过孔11的侧壁上，第二子结构232的外轮廓与第一子结构231相贴合并连接为一体结构。其中，第二子结构232具有延其厚度方向相对设置的第三表面和第四表面。其中，第二子结构232的第三表面与衬底基板10的第一表面平齐，第二子结构232的第四表面所在平面与衬底基板10的第二表面所在平面之间具有一定的间距。
57.在一些示例中，在衬底基板10的第二表面还形成有第一连接焊盘22，第一连接焊盘22通过信号走线21与第一连接结构23连接。这样一来，在将驱动芯片与第一连接焊盘22邦定连接后，可以为像素驱动电路提供驱动信号。进一步的，信号走线21和第一连接焊盘22可以一体成型结构，更进一步的，信号走线21、第一连接焊盘22，以及连接结构23为一体结构；例如：信号走线21、第一连接焊盘22和连接结构23的第一子结构231为一体结构，也即在衬底基板10上形成第一导电层(种子层)，并在电镀形成第二子结构232之后，可以对衬底基板10的第二表面上的第一导电层进行图案化处理，从而形成与第一子结构231电连接的信号走线21和第一连接焊盘22。
58.在一些示例中，由于第二子结构232的第四表面所在平面与衬底基板10的第二表面所在平面之间具有一定间距，故连接结构23设置在连接过孔11内限定出容置空间111(连接过孔11内除了连接结构23外的剩余空间)，在容置空间111内填充有填充结构40，填充结构40可以为树脂材料，该填充结构40不仅具有支撑作用，而且还防止连接结构23氧化。
59.进一步的，在形成位于容置空间111内的填充结构40的同时，还可以形成位于信号走线21背离衬底基板10的一侧的第二保护层50，以防止信号走线21腐蚀。应该理解的是，由
于第一连接焊盘22需要与驱动芯片邦定，故第二保护层50裸露第一连接焊盘22。
60.在一些示例中，由于连接结构23采用电镀工艺形成，故在连接结构23和连接过孔11的侧边上形成有第一保护层30，以对连接过孔11的侧壁进行保护。第一保护层30的材料包括但不限于氧化铝、氧化硅等。
61.针对图1所示的显示基板，以下提供了该显示基板的制备方法。图2为公开实施例的第一种示例的步骤s11所形成的中间产品的示意图；图3为公开实施例的第一种示例的步骤s12所形成的中间产品的示意图；图4为公开实施例的第一种示例的步骤s13所形成的中间产品的示意图；图5为公开实施例的第一种示例的步骤s14所形成的中间产品的示意图；图6为公开实施例的第一种示例的步骤s15所形成的中间产品的示意图；图7为公开实施例的第一种示例的步骤s16所形成的中间产品的示意图；图8为公开实施例的第一种示例的步骤s17所形成的中间产品的示意图。结合图1-8所示，该显示基板的制备方法包括如下步骤：
62.s11、提供一衬底基板10，其具有沿其厚度方向贯穿的连接过孔11，该衬底基板10包括沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面。
63.在一些示例中，衬底基板10包括但不限于采用玻璃基。在本公开实施例中以衬底基板10采用玻璃基为例。步骤s11可以包括通过喷砂法、光敏玻璃法、聚焦放电法、等离子刻蚀法、激光烧蚀法、电化学法、激光诱导刻蚀法等形成连接过孔11的步骤。
64.以下以采用激光诱导刻蚀法为例对形成连接过孔11的过程进行说明。
65.(1)清洗：玻璃基进入清洗机进行清洗。
66.在一些示例中，玻璃基的厚度在0.1mm-1.1mm左右。
67.(2)激光打孔：使用激光器以激光束垂直入射的方式打到玻璃基表面，以在玻璃基上形成多个连接过孔11。具体的，在激光束与玻璃基相互作用时，因激光光子能量较高将玻璃基中的原子电离化并抛射出玻璃基表面，随时间增加打的孔逐渐加深，直至打穿整个玻璃基，也即形成多个连接过孔11。其中，一般可选用的激光波长为532nm、355nm、266nm、248nm、197nm等，激光的脉冲宽度可选1-100fs、1-100ps、1-100ns等，激光器的类型可选连续激光器、脉冲激光器等。激光打孔的方式可以包括但不限于如下两种。第一种方式，当光斑直径较大时，激光束和玻璃基的相对位置固定，依靠高能量直接把玻璃基打穿，此时所形成的连接过孔11的形状是倒圆台，倒圆台的直径自上而下(由第二表面指向第一表面的方向)依次减小。第二种方式，当光斑直径较小时，激光束在玻璃基上画圈扫描，光斑聚焦点在不断变化，聚焦焦点深度也在不断变化，自玻璃基下表面(第一表面)向玻璃基上表面(第二表面)画螺旋线，且螺旋半径自下而上依次减小，玻璃基被激光切割成圆台型，因重力作用而掉落下去，连接过孔11因此而形成，该连接过孔11的形状为圆台。
68.在一些示例中，所形成的连接过孔11的孔径在10μm-1mm左右。
69.(3)hf刻蚀：由于在激光打孔过程会在第连接过孔11内壁上表面靠近孔的区域约5-20微米范围内形成应力区，该区域内玻璃基表面凹凸不平呈现熔融态多毛刺，且存在大量的微裂纹和宏观裂缝，并存在有残余应力。此时，使用2％-20％的hf刻蚀液，在适当温度下，进行一定时间的湿法刻蚀，将应力区的玻璃刻蚀掉，使连接过孔11内部和表面靠近孔的区域光滑平整，不存在微裂纹、宏观裂缝，并将应力区完全刻蚀掉。
70.s12、衬底基板10的第一表面、第二表面和在连接过孔11的侧壁上形成第一保护层30。
71.在一些示例中，步骤s12可以采用ald(原子层沉积法)形成覆盖衬底基板10的第一表面、第二表面和在连接过孔11的侧壁上形成第一保护层30，以对连接过孔11的侧壁进行保护。第一保护层30的材料包括但不限于氧化铝或者氧化硅等。
72.s13、在形成有第一保护层30的衬底基板10的第一表面、第二表面和在连接过孔11的侧壁上形成第一导电薄膜20，第一导电层作为形成连接结构23的种子层。
73.在一些示例中，步骤s13可以包括采用磁控溅射的方式，在衬底基板10的第一表面上淀积第一导电薄膜20作为种子层，在该过程中，第一导电薄膜20也会被淀积在连接过孔11的侧壁上，之后将衬底基板10翻面，同样可以采用测控溅射的方式，在衬底基板10的第二表面上形成第一导电薄膜20，当然第二表面上的第一导电薄膜20同样作为种子层。
74.在一些示例中，第一导电薄膜20的材料包括但不限于铜(cu)、铝(al)、钼(mo)、银(ag)中的至少一种。
75.s14、通过构图工艺形成信号走线21和第一连接焊盘22。
76.在一些示例中，步骤s14可以包括在衬底基板10的第二表面涂覆光刻胶，之后通过曝光、显影、刻蚀形成信号走线21和第一连接焊盘22。
77.s15、通过电镀工艺，以使位于衬底基板10的第一表面上的第一导电薄膜20和连接过孔11内部分第一导电薄膜20长厚，形成导电膜层200。
78.在一些示例中，步骤s15可以包括将衬底基板10放入电镀机台载具上，压上加电焊盘(pad)，放入填孔电镀槽(槽中使用专用填孔电解液)中，加电流，电镀液保持在衬底基板10表面持续快速流动，在连接过孔11侧壁上电镀液中的阳离子获得电子，成为原子淀积在内壁上，通过特殊配比的专用填孔电解液，可以做到主要在第一连接孔内高速淀积金属铜(淀积速度0.5-3um/min)，而在衬底基板10的第一表面和第二表面为平整区域，这两个表面上的金属铜的淀积速度极小(0.005-0.05um/min)。随时间增加，连接过孔11的侧壁上的金属铜逐渐长厚。
79.s16、将衬底基板10的第一表面上的长厚的第一导电薄膜20去除，此时形成位于连接过孔11内的连接结构23和位于第二表面上的信号走线21和第一连接焊盘22。
80.在一些示例中，步骤s16可以使用化学机械抛光(cmp)的方法将第一表面上多余的第一导电薄膜20的结构去除。其中，位于连接过孔11内的种子层作为连接结构23的第一子结构231，长厚的第一导电薄膜20部分作为第二子结构232。
81.s17、在连接结构23形成在连接过孔11内所限定出容置空间111内填充填充结构40。
82.在一些示例中，在对容置空间111进行填充的同时还可以形成覆盖信号走线21的第二保护层50。其中，填充结构40和第二保护层50为一体结构，材料包括但不限于树脂材料。
83.s18、在完成上述步骤的衬底基板10的第一表面上形成像素驱动电路(薄膜晶体管等)、发光器件等结构。
84.对于形成像素驱动电路、发光器件可以采用现有技术中的方式，故在此不再详细描述。
85.第二种示例：图9为本公开实施例的第二种示例的显示基板的局部示意图；如图9所示，该种显示基板与第一种示例大致相同，区别仅在于，在该种示例中连接结构23的第二
子结构232靠近衬底基板10的第二表面的一侧。也就是说，第二子结构232的第四表面与衬底基板10的第二表面平齐或者大致平齐。
86.对于第二种示例的显示基板的制备方法与第一种示例大致相同，区别仅在于在电镀工艺形成连接结构23时，通过控制工艺参数，可以使得第二子结构232的第四表面与衬底基板10的第二表面平齐或者大致平齐。对于其余步骤均可以与第一种示例相同，故在此不再重复赘述。
87.第三种示例：图10为本公开实施例的第三种示例的显示基板的局部示意图；如图10所示，该种显示基板与第一种示例大致相同，区别仅在于，在该种示例中连接结构23的第二子结构232位于连接过孔11的中部，也即第二子结构232的第三表面所在平面与衬底基板10的第一表面所在平面之间具有一定间距，第二子结构232的第四表面所在平面与衬底基板10的第二表面所在平面之间具有一定间距。
88.对于第三种示例的显示基板的制备方法与第一种示例大致相同，区别仅在于在电镀工艺形成连接结构23时，通过控制工艺参数，可以使得第二子结构232的第三表面所在平面与衬底基板10的第一表面所在平面之间具有一定间距，第二子结构232的第四表面所在平面与衬底基板10的第二表面所在平面之间具有一定间距。对于其余步骤均可以与第一种示例相同，故在此不再重复赘述。
89.第四种示例：图11为本公开实施例的第四种示例的显示基板的局部示意图；如图11所示，该种显示基板与第一种示例大致相同，区别仅在于，在该种示例中连接结构23的第二子结构232包括第一部分2321和第二部分2322；第一部分2321的外轮廓和第二部分2322外轮廓均与第一子结构231相贴合，且第一部分2321和第二部分2322之间具有一定的间距。进一步的，第一部分2321背离第二部分2322的表面与第一表面平齐；第二部分2322背离第一部分2321的表面与所述第二表面平齐。
90.对于第四种示例显示基板的第一子结构231的第一部分2321和第二部分2322之间的间距无法填充填充结构40。
91.对于第四种示例的显示基板的制备方法与第一种示例大致相同，区别仅在于在电镀工艺形成连接结构23时，通过控制工艺参数，可以形成由第一部分2321和第二部分2322组成的第二子结构232。当然，第二子结构232的第一部分2321和第二部分2322也可以通过两次电镀工艺形成。其中仅需要控制要电镀工艺的参数即可。对于其余步骤均可以与第一种示例相同，故在此不再重复赘述。
92.第五种示例：图12为本公开实施例的第五种示例的显示基板的局部示意图；如图12所示，该种显示基板与第一种示例大致相同，区别仅在于，在该种示例中连接结构23的第二子结构232的第三表面为折面，且朝向第四表面凸出；和/或，第二子结构232的第四表面为折面，且朝向第三表面凸出。
93.对于第五种示例的显示基板的制备方法与第一种示例大致相同，区别仅在于在电镀工艺形成连接结构23时，通过控制工艺参数，可以使得第二子结构232的第三表面和第四表面呈折面。对于其余步骤均可以与第一种示例相同，故在此不再重复赘述。
94.第六种示例：图13为本公开实施例的第六种示例的显示基板的局部示意图；如图13所示，该种显示基板与第一种示例大致相同，区别仅在于，在该种示例中连接结构23的第二子结构232的第三表面为弧面，且朝向第四表面凸出；和/或，第二子结构232的第四表面
为弧面，且朝向第三表面凸出。
95.对于第六种示例的显示基板的制备方法与第一种示例大致相同，区别仅在于在电镀工艺形成连接结构23时，通过控制工艺参数，可以使得第二子结构232的第三表面和第四表面呈弧面。对于其余步骤均可以与第一种示例相同，故在此不再重复赘述。
96.需要说明的是，以上仅给出几种示例性的显示基板的结构，但在上述基础上的变形均在本公开实施例保护范围内。
97.可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
