铜化学机械研磨方法

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN2.8

（22）申请日 2005.09.13

（71）申请人 联华电子股份有限公司

地址 台湾省新竹科学工业园区

（10）申请公布号 CN1931518A

（43）申请公布日 2007.03.21

（72）发明人 李志嶽;魏詠宗;童宇诚;林俊贤;吴俊元

（74）专利代理机构 北京市柳沈律师事务所

代理人 陶凤波

（51）

B24B1/00;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

铜化学机械研磨方法

（57）摘要

一种铜化学机械研磨方法，适于平坦化形

成于基底上的一铜金属层，且此铜金属层通常用

来填满基底中的开口。这种方法是先进行第一阶

段研磨，以去除铜金属层的部分厚度，其中于第

一阶段研磨后，铜金属层残留于基底表面的厚度

在500～4000埃之间。然后，进行第二阶段研

磨，以完全去除开口以外的铜金属层。其中，可

选择在不同研磨垫上进行不同阶段研磨。由于两